CMOS专利转让_购买CMOS专利

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Q: 「CMOS」专利能用于高企认定吗？

可以。「CMOS」领域的发明专利可作为高企认定核心自主知识产权（Ⅰ类），实用新型可作为辅助知识产权（Ⅱ类），本站支持筛选已报高企专利。

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不限发明专利

发明专利发明专利

特价

一种CMOS摄像头可见光通信的数据保密传输方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种用于CMOS图像传感器的列级模数转换器及其模数转换方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

可用于单片集成的金刚石基CMOS逻辑电路及制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种金属极性与氮极性结合的GaN基CMOS器件及其制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种变压器隔离的SiCMOS驱动电路（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种改善驱动性能的SiCMOSFET主动驱动电路（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种高开通性能的SiCMOSFET驱动电路（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

SiCMOSFET物理模型构建方法、设备及存储介质（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

基于分数阶建模的SiCMOSFET结温测量方法和系统（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种基于改进鲸鱼算法的CMOS电流模式D类功率放大器优化设计方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种具有低比导通电阻的SiCMOSFET器件及其制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种具有源极场板的高可靠性平面型分裂栅SiCMOSFET器件及其制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种高可靠性平面栅SiCMOSFET器件结构及其制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

SiCMOSFET并联均流与振荡抑制电路、方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种高抗辐射能力SiCMOSFET器件结构及制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种抗辐射加固的SiCMOSFET器件结构及制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种大功率低杂散SiCMOSFET模块（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种TNPC电路的SiCMOSFET硬开关损耗计算方法及测试装置（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

无电流传感器的SiCMOSFET硬开关损耗测量方法及系统（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

基于线阵CMOS相机的实木地板的颜色分选装置及方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种SiCMOSFET门极辅助电路（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种SiCMOSFET串联电路（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种变电压SiCMOSFET有源驱动电路（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种SiCMOSFET快速短路保护电路（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种SiCMOSFET近区电磁场建模方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种SiCMOSFET有源驱动电路（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

用在CMOS图像传感器的FIR滤波器以及ADC模块（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

SiCMOSFET栅氧老化状态在线监测电路与方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

全局同步及局部异步的单斜ADC及CMOS图像传感器（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

余差脉冲展宽插值量化型列级ADC、CMOS图像传感器（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

低压差线性稳压器、CMOS模数转换器及CIS芯片（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种基于晶圆级CMOS垂直堆叠的集成电路及制备方法（高校公示15个工作日）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种CMOS数字逻辑电路的设计方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种指定逻辑功能用CMOS电路实现的方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种纳米CMOS电路常开缺陷的快速容错方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种可优化功耗的纳米CMOS电路容错映射方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

矩阵表示的纳米CMOS电路常开缺陷的快速映射方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

有效利用常闭缺陷单元的纳米CMOS电路高效容错方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种可优化延时的纳米CMOS电路容错映射方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

应变黑磷CMOS场效应晶体管及其制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

专利号：2021107586254

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关于「CMOS」专利转让

「CMOS」是当前技术创新与产业升级中的热门方向。购买该领域的专利，能够帮助企业快速获取核心技术成果、缩短研发周期，并在高新技术企业认定、科技项目申报、招投标加分等场景中占据优势。

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「CMOS」专利转让常见问题

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「CMOS」专利能用于高企认定吗？

可以。「CMOS」领域的发明专利可作为高企认定核心自主知识产权（Ⅰ类），实用新型可作为辅助知识产权（Ⅱ类）。本站支持筛选「已报高企」专利，购买后即可用于申报。

「CMOS」专利转让流程是怎样的？

选中心仪专利后，与本站签订转让协议，平台协助办理国家知识产权局著录项目变更（过户），全程约 1-3 个月，转让不成功全额退款，专业顾问一对一跟进。

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