一种基于晶圆级CMOS垂直堆叠的集成电路及制备方法（高校公示15个工作日）（不包年费滞纳金）（需要二变）

本发明属于微电子领域，涉及二维材料集成电路，具体涉及一种基于晶圆级CMOS垂直堆叠的集成电路及制备方法。本发明提供了一种可实现多种逻辑功能和存储功能，且制备简单、高性能的基于晶圆级CMOS垂直堆叠的集成电路及其制备方法，具体在衬底上按照CMOS/绝缘层/CMOS/绝缘层/CMOS结构垂直堆叠而成，其堆叠层数大于两层；各层CMOS之间通过金属电极连接，以高介电常数材料作为介电层和绝缘层，以半导体性过渡金属硫族化合物单晶作为沟道材料，以金属性过渡金属硫族化合物作为沟道材料与金属电极之间的接触改善材料，以金属性材料作为栅极。

《一种基于晶圆级CMOS垂直堆叠的集成电路及制备方法（高校公示15个工作日）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 2021114863891，当前法律状态为已下证，由山西大学提出申请，发明人为韩拯;陈茂林;张静，申请日期为2021-12-07，公开（公告）日期为2025-10-17，国际专利分类号（IPC）为 H10D 84/85 (2025.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明属于微电子领域，涉及二维材料集成电路，具体涉及一种基于晶圆级CMOS垂直堆叠的集成电路及制备方法。本发明提供了一种可实现多种逻辑功能和存储功能，且制备简单、高性能的基于晶圆级CMOS垂直堆叠的集成电路及其制备方法，具体在衬底上按照CMOS/绝缘层/CMOS/绝缘层/CMOS结构垂直堆叠而成，其堆叠层数大于两层；各层CMOS之间通过金属电极连接，以高介电常数材料作为介电层和绝缘层，以半导体性过渡金属硫族化合物单晶作为沟道材料，以金属性过渡金属硫族化合物作为沟道材料与金属电极之间的接触改善材料，以金属性材料作为栅极。

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