SiCMOSFET栅氧老化状态在线监测电路与方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

本发明提供一种SiC MOSFET栅氧老化状态在线监测电路与方法，通过漏源电压检测单元和信号判定单元实时监测栅极电压和漏源电压的变化，得到关于栅极电压变化的第二比较信号和关于漏源电压变化的第一比较信号，并将两个比较信号进行逻辑运算，根据逻辑运算结果的高电平持续时间得出两个能够体现SiC MOSFET栅氧层状况的参数，准确评估SiC MOSFET栅氧层的健康状况，有效提高SiC MOSFET的可靠性和使用寿命。且仅需一个电路即可实现两个时间参数的检测，具备电路结构简单，制备成本低的优点。

《SiCMOSFET栅氧老化状态在线监测电路与方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 2024109033818，当前法律状态为已下证，由安徽大学提出申请，发明人为谭琨;谢海洋;唐曦;罗盟;曹文平;胡存刚，申请日期为2024-07-08，公开（公告）日期为2024-09-17，国际专利分类号（IPC）为 G01R 31/26 (2020.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明提供一种SiC MOSFET栅氧老化状态在线监测电路与方法，通过漏源电压检测单元和信号判定单元实时监测栅极电压和漏源电压的变化，得到关于栅极电压变化的第二比较信号和关于漏源电压变化的第一比较信号，并将两个比较信号进行逻辑运算，根据逻辑运算结果的高电平持续时间得出两个能够体现SiC MOSFET栅氧层状况的参数，准确评估SiC MOSFET栅氧层的健康状况，有效提高SiC MOSFET的可靠性和使用寿命。且仅需一个电路即可实现两个时间参数的检测，具备电路结构简单，制备成本低的优点。

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