一种SiCMOSFET近区电磁场建模方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

本发明公开了一种SiC MOSFET近区电磁场建模方法，包括：建立spice模型，根据spice模型建立仿真电路，得到SiC Mosfet三个引脚的时域电流；对引脚的时域电流进行傅里叶分解与频谱分析，将时域电流分解成不同频率的正弦分量；对每个正弦分量沿着引脚方向求解动态位，得到各正弦分量的动态位；基于动态位，计算各频率正弦分量引起的磁感应强度与电场强度，并由磁感应强度计算得到磁场强度；对各频率正弦分量引起的磁场强度与电场强度分别进行累加，得到各引脚的近区磁场强度与电场强度；根据SiC MOSFET引脚的三维分布，对三个引脚的电磁场进行修正叠加，推导出SiC MOSFET的近区电磁场。在研发期间就可以对器件近区电磁场进行预测，从而减少实验次数，降低研发成本。

《一种SiCMOSFET近区电磁场建模方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 2021102584623，当前法律状态为已下证，由南京工程学院提出申请，发明人为李先允;羊岳彬;余健;王书征;倪喜军，申请日期为2021-03-10，公开（公告）日期为2024-02-13，国际专利分类号（IPC）为 G06F 30/367 (2020.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明公开了一种SiC MOSFET近区电磁场建模方法，包括：建立spice模型，根据spice模型建立仿真电路，得到SiC Mosfet三个引脚的时域电流；对引脚的时域电流进行傅里叶分解与频谱分析，将时域电流分解成不同频率的正弦分量；对每个正弦分量沿着引脚方向求解动态位，得到各正弦分量的动态位；基于动态位，计算各频率正弦分量引起的磁感应强度与电场强度，并由磁感应强度计算得到磁场强度；对各频率正弦分量引起的磁场强度与电场强度分别进行累加，得到各引脚的近区磁场强度与电场强度；根据SiC MOSFET引脚的三维分布，对三个引脚的电磁场进行修正叠加，推导出SiC MOSFET的近区电磁场。在研发期间就可以对器件近区电磁场进行预测，从而减少实验次数，降低研发成本。

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