一种SiCMOSFET有源驱动电路（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

本发明公开了一种SiC MOSFET有源驱动电路，包括：驱动电路，电压采样电路，脉冲产生电路和电压注入电路；所述电压采样电路，用于采集SiC MOSFET开关过程中栅源极两端电压信号，并传输给脉冲产生电路；所述脉冲产生电路，用于在SiC MOSFET开关过程的特定时间段内产生脉冲信号，并传输给电压注入电路；所述电压注入电路，用于根据所述脉冲信号向驱动电路注入电压。优点：本发明的电路简单，能够抑制电流、电压过冲和振荡现象，且没有增加驱动电阻阻值，不会延长SiC MOSFET的开关时间和增加开关损耗。

《一种SiCMOSFET有源驱动电路（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 2020100973162，当前法律状态为已下证，由南京工程学院提出申请，发明人为李先允;卢乙;倪喜军;王书征;何鸿天，申请日期为2020-02-17，公开（公告）日期为2024-02-13，国际专利分类号（IPC）为 H03K 17/567 (2006.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明公开了一种SiC MOSFET有源驱动电路，包括：驱动电路，电压采样电路，脉冲产生电路和电压注入电路；所述电压采样电路，用于采集SiC MOSFET开关过程中栅源极两端电压信号，并传输给脉冲产生电路；所述脉冲产生电路，用于在SiC MOSFET开关过程的特定时间段内产生脉冲信号，并传输给电压注入电路；所述电压注入电路，用于根据所述脉冲信号向驱动电路注入电压。优点：本发明的电路简单，能够抑制电流、电压过冲和振荡现象，且没有增加驱动电阻阻值，不会延长SiC MOSFET的开关时间和增加开关损耗。

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