一种TNPC电路的SiCMOSFET硬开关损耗计算方法及测试装置（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

本申请公开了一种TNPC电路的SiC MOSFET硬开关损耗计算方法及测试装置，所公开的TNPC电路的SiC MOSFET硬开关损耗计算方法包括：通过向TNPC电路中的当前被测器件施加关断脉冲信号控制当前标定器件的沟道关断，并获取当前被测器件在关断过程中的当前关断电压特征参数；通过向当前被测器件施加开启脉冲信号控制标定器件的沟道开启，并获取当前被测器件在开启过程中的当前开通电压特征参数；获取硬开关损耗计算模型；将当前关断电压特征参数以及当前开通电压特征参数均代入硬开关损耗计算模型进行计算，得到当前被测器件的硬开关损耗。本申请对TNPC电路的改动较小，有效降低了TNPC电路的复杂程度。

《一种TNPC电路的SiCMOSFET硬开关损耗计算方法及测试装置（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 2025114253136，当前法律状态为已下证，由湖南大学提出申请，发明人为徐千鸣;王泽通;唐成;魏伊杨;郭鹏;徐马龙，申请日期为2025-09-30，公开（公告）日期为2025-12-26，国际专利分类号（IPC）为 G01R 31/26 (2020.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本申请公开了一种TNPC电路的SiC MOSFET硬开关损耗计算方法及测试装置，所公开的TNPC电路的SiC MOSFET硬开关损耗计算方法包括：通过向TNPC电路中的当前被测器件施加关断脉冲信号控制当前标定器件的沟道关断，并获取当前被测器件在关断过程中的当前关断电压特征参数；通过向当前被测器件施加开启脉冲信号控制标定器件的沟道开启，并获取当前被测器件在开启过程中的当前开通电压特征参数；获取硬开关损耗计算模型；将当前关断电压特征参数以及当前开通电压特征参数均代入硬开关损耗计算模型进行计算，得到当前被测器件的硬开关损耗。本申请对TNPC电路的改动较小，有效降低了TNPC电路的复杂程度。

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