一种具有源极场板的高可靠性平面型分裂栅SiCMOSFET器件及其制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）
发明专利本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种具有源极场板的高可靠性平面型分裂栅SiC MOSFET器件，元胞结构包括：漏极金属、N+衬底、N‑漂移区，N‑漂移区的顶部设有电流扩散层；N‑漂移区顶部设有P‑base区，P‑base区内还设有N+区和P+区，N+区以及P+区与源极金属相连；栅极结构包括多晶硅栅极与栅极氧化物、隔离填充层、绝缘层，所述栅极氧化物位于所述多晶硅栅极与源极金属、P‑base区、N+区、P+区和电流扩散层之间；电流扩散层通过栅极氧化物与源极金属相连；本发明在不削弱传统平面栅SiC MOSFET性能的情况下，改善了器件的高频品质优值(HF‑FOMs,High‑Frequency Figure‑of‑Merits)和动态工作性能。
《一种具有源极场板的高可靠性平面型分裂栅SiCMOSFET器件及其制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 2021116742567，当前法律状态为已下证，由湖南大学提出申请，发明人为王俊;张锦奕;俞恒裕;梁世维;邓高强;刘航志，申请日期为2021-12-31，公开（公告）日期为2024-11-15，国际专利分类号（IPC）为 H01L 29/78 (2006.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种具有源极场板的高可靠性平面型分裂栅SiC MOSFET器件，元胞结构包括：漏极金属、N+衬底、N‑漂移区，N‑漂移区的顶部设有电流扩散层；N‑漂移区顶部设有P‑base区，P‑base区内还设有N+区和P+区，N+区以及P+区与源极金属相连；栅极结构包括多晶硅栅极与栅极氧化物、隔离填充层、绝缘层，所述栅极氧化物位于所述多晶硅栅极与源极金属、P‑base区、N+区、P+区和电流扩散层之间；电流扩散层通过栅极氧化物与源极金属相连；本发明在不削弱传统平面栅SiC MOSFET性能的情况下，改善了器件的高频品质优值(HF‑FOMs,High‑Frequency Figure‑of‑Merits)和动态工作性能。
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