RAM专利转让_购买RAM专利

Q: 购买「RAM」专利要多少钱？

本站精选「RAM」领域相关专利1件，价格透明、明码标价。发明专利一般 1 万元起，实用新型 3000 元起，平台担保交易不成功退款。

Q: 「RAM」专利能用于高企认定吗？

可以。「RAM」领域的发明专利可作为高企认定核心自主知识产权（Ⅰ类），实用新型可作为辅助知识产权（Ⅱ类），本站支持筛选已报高企专利。

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不限发明专利实用新型

发明专利发明专利

特价

PVAm改性OHP薄膜的应用、聚合物钙钛矿RRAM器件及其制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种基于平稳Framelet变换的地震去噪方法及系统（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种基于Framelet变换和Lp拟范数相互作用的地震插值方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种应用于MRAM的双采样感测电路（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种单轮交互的链表ORAM访问方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种基于ORAM密态数据库索引的快速连接查询方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

ORAM系统执行处理方法、装置、计算机设备、及介质（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种具有高写裕度的10TTFET与MOSFET器件混合型SRAM单元电路（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

具有高写裕度的9TTFET与MOSFET器件混合型SRAM单元电路（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种低功耗和高写裕度的11TTFETSRAM单元电路结构（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种用于二值神经网络的双字线6TSRAM单元电路（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种在存储器中结合电容实现乘法的SRAM电路结构（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种由RRAM构成的可阻态区分且可重构的运算电路（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种MOSFET-TFET混合型的8TSRAM单元电路（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种基于10T-SRAM单元的电路结构、芯片及模块（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

SRAM存储器的位线泄漏电流补偿电路、模块及存储器（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种在内存中实现带有正负数乘加的SRAM电路（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种读写分离的14T抗辐照SRAM存储单元电路结构（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

基于9TSRAM单元在内存实现汉明距离计算的电路及9TSRAM单元（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

10TSRAM单元、及基于10TSRAM单元的存内逻辑运算及BCAM电路（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

基于上交叉耦合的自适应关断型SRAM灵敏放大器电路、模块（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种9T2M的nvSRAM单元、模式切换电路以及非易失性存储电路（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

基于下交叉耦合的自适应关断型SRAM灵敏放大器电路、模块（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

基于8T-SRAM和电流镜的存内计算电路（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

基于SRAM的电流镜互补存内计算宏电路、及芯片（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

时域8T1C-SRAM存算单元及时序跟踪量化的存算电路（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种8T-SRAM单元及基于该种8T-SRAM单元的运算电路、芯片（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种具有低功耗和写增强的混合10TTFET-MOSFETSRAM单元电路（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种具有超低功耗和高写裕度的12TTFETSRAM单元电路（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

2T-2MTJ存算单元和MRAM存内计算电路（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

基于锁存交叉耦合的自控制型SRAM灵敏放大器电路、模块（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

10T1C-SRAM存算单元、存算阵列、及存算电路（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

具有施密特结构的混合型14T-SRAM单元、SRAM电路、芯片（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

基于6T-SRAM的二值权重网络存内计算电路、模块（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种14T-TFET-SRAM单元电路、模块及阵列（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种读写分离的12TTFETSRAM单元电路（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

NRHC-14T抗辐照SRAM存储单元、芯片和模块（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

8T-SRAM存算单元、存内计算阵列和存内计算电路（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种减小位线耦合电容影响的DRAM阵列电路及模块（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

一种10T1C-SRAM存内计算单元及存算电路（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

专利号：2024118640148

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关于「RAM」专利转让

「RAM」是当前技术创新与产业升级中的热门方向。购买该领域的专利，能够帮助企业快速获取核心技术成果、缩短研发周期，并在高新技术企业认定、科技项目申报、招投标加分等场景中占据优势。

专利转让网平台收录的「RAM」专利，均来自正规渠道并完成权属核验。我们的专业顾问可协助您完成从选品、法律尽调、合同签订到国家知识产权局著录项目变更（过户）的全流程服务，确保交易合规、安全、高效。如需了解某件专利的详细技术内容、价格或转让流程，欢迎随时在线咨询。

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「RAM」专利转让常见问题

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「RAM」专利转让流程是怎样的？

选中心仪专利后，与本站签订转让协议，平台协助办理国家知识产权局著录项目变更（过户），全程约 1-3 个月，转让不成功全额退款，专业顾问一对一跟进。

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