一种应用于MRAM的双采样感测电路（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

本发明公开了一种应用于MRAM的双采样感测电路，涉及存储器电路设计技术领域，该电路包括：至少一个SOT‑MRAM、预充电与放电控制模块、采样模块和感测放大模块；每个SOT‑MRAM包含数据单元和参考单元，数据单元的磁化状态与参考单元相反；预充电与放电控制模块，用于控制目标SOT‑MRAM的位线BL和BLB是否进行充电或放电；采样模块，用于在位线BL和BLB放电的过程中，分别采集位线BL和BLB上的电压以获得最大电压差；感测放大模块，用于放大该最大电压差并输出对应的数字信号，以表征MRAM中存储的数据。本发明能够在保持高速读操作的同时提高感测裕量，降低误码率，并实现较低的读能耗。

《一种应用于MRAM的双采样感测电路（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 2025114456287，当前法律状态为已下证，由长安大学提出申请，发明人为左罗;李楠;张政;王明辉;胡凯益;吕韵秋，申请日期为2025-10-11，公开（公告）日期为2025-12-16，国际专利分类号（IPC）为 G11C 11/16 (2006.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明公开了一种应用于MRAM的双采样感测电路，涉及存储器电路设计技术领域，该电路包括：至少一个SOT‑MRAM、预充电与放电控制模块、采样模块和感测放大模块；每个SOT‑MRAM包含数据单元和参考单元，数据单元的磁化状态与参考单元相反；预充电与放电控制模块，用于控制目标SOT‑MRAM的位线BL和BLB是否进行充电或放电；采样模块，用于在位线BL和BLB放电的过程中，分别采集位线BL和BLB上的电压以获得最大电压差；感测放大模块，用于放大该最大电压差并输出对应的数字信号，以表征MRAM中存储的数据。本发明能够在保持高速读操作的同时提高感测裕量，降低误码率，并实现较低的读能耗。

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