时域8T1C-SRAM存算单元及时序跟踪量化的存算电路（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种时域8T1C‑SRAM存算单元、以及一种时序跟踪量化的存算电路和芯片。存算单元由2个PMOS管P1~P2，6个NMOS管N1~N6，以及一个电容C0构成；其中，N5、N6和C0构成用于实现单比特或多比特乘法的运算单元；其余元件构成6T‑SRAM单元；运算单元的电路连接关系为：N5的栅极连接在存储节点QB上，N5的源极通过一根源线CSL接电容C0的一端，C0的另一端接地；N5的漏极与N6的源极相连；N6的栅极接运算字线CWL；N6的漏极接全局位线CBL；本发明改善了现有电流域和电压域的存内运算电路在性能和能耗等指标上的不足。

《时域8T1C-SRAM存算单元及时序跟踪量化的存算电路（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 2023116358171，当前法律状态为已下证，由安徽大学提出申请，发明人为周永亮;杨震;杨盼;吴凯;王俊杰;何宗良;江尚峰;韦一鸣;林枭，申请日期为2023-12-01，公开（公告）日期为2024-02-06，国际专利分类号（IPC）为 G11C 16/08 (2006.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种时域8T1C‑SRAM存算单元、以及一种时序跟踪量化的存算电路和芯片。存算单元由2个PMOS管P1~P2，6个NMOS管N1~N6，以及一个电容C0构成；其中，N5、N6和C0构成用于实现单比特或多比特乘法的运算单元；其余元件构成6T‑SRAM单元；运算单元的电路连接关系为：N5的栅极连接在存储节点QB上，N5的源极通过一根源线CSL接电容C0的一端，C0的另一端接地；N5的漏极与N6的源极相连；N6的栅极接运算字线CWL；N6的漏极接全局位线CBL；本发明改善了现有电流域和电压域的存内运算电路在性能和能耗等指标上的不足。

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