一种10T1C-SRAM存内计算单元及存算电路（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

本发明涉及集成电路设计技术领域，更具体的，涉及一种10T1C‑SRAM存内计算单元及存算电路。本发明在经典的6T‑SRAM的基础上增设了4个NMOS晶体管N4~N7和1个电容C，设计出一种新的10T1C‑SRAM存内计算单元，其继承了6T‑SRAM的数据存储及读写功能，又可以利用N4、N5、N6、N7和C构成计算部来实现存内AND计算和存内XNOR计算。本发明还基于新设计的10T1C‑SRAM存内计算单元，构建出存内计算电路，还可以进行存内1b‑AND MAC计算和存内BNN计算，功能性强、灵活性大。

《一种10T1C-SRAM存内计算单元及存算电路（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 2024118640148，当前法律状态为已下证，由安徽大学提出申请，发明人为蔺智挺;张豪;吴秀龙;胡薇;卢文娟;赵强;戴成虎;彭春雨;李志刚，申请日期为2024-12-18，公开（公告）日期为2025-03-18，国际专利分类号（IPC）为 G06F 15/78 (2006.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明涉及集成电路设计技术领域，更具体的，涉及一种10T1C‑SRAM存内计算单元及存算电路。本发明在经典的6T‑SRAM的基础上增设了4个NMOS晶体管N4~N7和1个电容C，设计出一种新的10T1C‑SRAM存内计算单元，其继承了6T‑SRAM的数据存储及读写功能，又可以利用N4、N5、N6、N7和C构成计算部来实现存内AND计算和存内XNOR计算。本发明还基于新设计的10T1C‑SRAM存内计算单元，构建出存内计算电路，还可以进行存内1b‑AND MAC计算和存内BNN计算，功能性强、灵活性大。

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