基于8T-SRAM和电流镜的存内计算电路（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

本发明涉及集成电路技术领域，更具体的，涉及基于8T‑SRAM和电流镜的存内计算电路。本发明包括存储部、存内计算部、传输控制部、电流镜部、反相器部、关断控制部。本发明一方面将1bit权重存储在8T‑SRAM单元内，另一方面将5bit带符号数分为1bit符号位和4bit无符号数两部分、并分别输入到8T‑SRAM单元、传输控制部，从而在近存内计算的方式下实现5bit带符号数与1bit权重相乘及同或累加。本发明没有引入电容等非线性器件，可以保证计算结果精度，避免单元面积变大。本发明采用电流镜复制参考电流源Iref，使存内计算部充放电速度相等，可以极大程度减少充放电非线性，保证计算结果的准确性。

《基于8T-SRAM和电流镜的存内计算电路（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 2023114519342，当前法律状态为已下证，由安徽大学提出申请，发明人为彭春雨;李嘉祥;关立军;闫声远;王雅娜;卢文娟;赵强;李鑫;吴秀龙;周永亮，申请日期为2023-11-03，公开（公告）日期为2024-01-30，国际专利分类号（IPC）为 G11C 11/418 (2006.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明涉及集成电路技术领域，更具体的，涉及基于8T‑SRAM和电流镜的存内计算电路。本发明包括存储部、存内计算部、传输控制部、电流镜部、反相器部、关断控制部。本发明一方面将1bit权重存储在8T‑SRAM单元内，另一方面将5bit带符号数分为1bit符号位和4bit无符号数两部分、并分别输入到8T‑SRAM单元、传输控制部，从而在近存内计算的方式下实现5bit带符号数与1bit权重相乘及同或累加。本发明没有引入电容等非线性器件，可以保证计算结果精度，避免单元面积变大。本发明采用电流镜复制参考电流源Iref，使存内计算部充放电速度相等，可以极大程度减少充放电非线性，保证计算结果的准确性。

海量优质专利即买即用，四大核心优势助您弯道超车：
🏆 拿资质，享红利：高企认定、专精特新必备！轻松获取政府补贴、税收减免，招投标直接加分！
💎 增信誉，融资金：支持实缴注册资金，彰显企业硬实力；支持专利质押贷款，盘活现金流，扩张不缺钱！
🔥 强背书，防抄袭：印上“专利产品”，客户更信赖！构建技术壁垒，把竞争对手挡在门外，稳占市场份额！
🚀 省时间，快变现：告别漫长研发与高风险！优质专利即买即用，让技术立刻变成真金白银的利润！