基于锁存交叉耦合的自控制型SRAM灵敏放大器电路、模块（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

本发明涉及灵敏放大器设计技术领域，更具体的，涉及基于锁存交叉耦合的自控制型SRAM灵敏放大器电路、模块。本发明包括：使能控制部、锁存耦合部、自控制输入部、预充电路部。本发明采用自控制输入部，根据Q、QB的电压变化，自适应控制目标位线的信号输入与非目标位线的信号关断，避免非目标位线对输出节点Q、QB产生影响，从而降低失调电压和放大延时。本发明采用锁存耦合部放大电压信号，避免了反相器级联的控制方式，从而规避了现有专利的振荡风险。本发明解决了现有锁存器型灵敏放大器存在偏大的失调电压、以及现有专利存在振荡风险的问题。

《基于锁存交叉耦合的自控制型SRAM灵敏放大器电路、模块（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 2023118323603，当前法律状态为已下证，由安徽大学提出申请，发明人为关立军;于天褀;卢文娟;彭春雨;蔺智挺;吴秀龙，申请日期为2023-12-28，公开（公告）日期为2024-06-14，国际专利分类号（IPC）为 G11C 7/06 (2006.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明涉及灵敏放大器设计技术领域，更具体的，涉及基于锁存交叉耦合的自控制型SRAM灵敏放大器电路、模块。本发明包括：使能控制部、锁存耦合部、自控制输入部、预充电路部。本发明采用自控制输入部，根据Q、QB的电压变化，自适应控制目标位线的信号输入与非目标位线的信号关断，避免非目标位线对输出节点Q、QB产生影响，从而降低失调电压和放大延时。本发明采用锁存耦合部放大电压信号，避免了反相器级联的控制方式，从而规避了现有专利的振荡风险。本发明解决了现有锁存器型灵敏放大器存在偏大的失调电压、以及现有专利存在振荡风险的问题。

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