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发明专利发明专利
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一种GaNHEMT环形振荡器及其制作方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2024100423940
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发明专利发明专利
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一种基于复合沟道和双掺杂层的抗质子辐照InP基HEMT器件及其加工方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2020102424297
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发明专利发明专利
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基于氮化铝/氮化硅堆叠结构和BCB桥的抗质子辐照InP基HEMT器件(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2020102417876
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发明专利发明专利
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一种氮极性GaN基HEMT-LED集成芯片及其制备方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2025106712065
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发明专利发明专利
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一种集成反向二极管和内嵌漏极场板的横向扩散eGaNHEMT器件【特价】(高校公示25天左右)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2019104294191
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发明专利发明专利
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一种III-V族半导体MOSHEMT器件及其制备方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2017100263161
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发明专利发明专利
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一种基于分布式采样结构的EMT图像重建方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2021100971710
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发明专利发明专利
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一种基于序贯蒙特卡洛原理的EMT图像重建方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2021113063367
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发明专利发明专利
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基于流型识别和变化灵敏度矩阵的EMT图像重构方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2022112408590
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发明专利发明专利
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兼容SiCMOSFET和GaNHEMT的仿真模型电路及其创建方法
专利号:2020105087647
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发明专利发明专利
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一种抑制GaNHEMT半桥串扰导通和门极反向过压的驱动电路及其控制方法
专利号:202111093950X
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发明专利发明专利
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一种EMT/TS-1混晶分子筛及其制备方法和在聚乙烯废料加氢裂化中的应用
专利号:2025110029080
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一种EMT/FAU共晶分子筛催化剂及制备方法和应用
专利号:202510819567X
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一种低损伤AlGaN/GaNHEMT栅槽刻蚀方法
专利号:2019103234850
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发明专利发明专利
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一种利用全固态电池实现的增强型III-V HEMT器件
专利号:2018104052446
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一种利用全固态电池实现增强型III-V HEMT器件的方法
专利号:2018104052431
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一种快速判定小区是否支持eMTC的方法
专利号:201910133332X
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发明专利发明专利
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一种p-GaNHEMT中的新结构(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:202111680541X
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发明专利发明专利
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一种集成GaN二极管温度传感器的HEMT及制备方法(高校公示30天)(不包年费滞纳金)
专利号:2024100502340
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GaN基HEMT器件及其制作方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:201811421745X
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发明专利发明专利
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级联增强型GaNHEMT功率模块封装结构及封装方法
专利号:2019107896179
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用于级联增强型GaNHEMT器件的低寄生参数封装结构及其封装方法
专利号:201910789929X
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具有温差发电机构的III-VHEMT器件的制备方法
专利号:2018106899620
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一种具有温差发电机构的III-V HEMT器件
专利号:2018106886688
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发明专利发明专利
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一种高线性度的GaNHEMT射频功率器件(电力电子科技电缆信号传输安防通信网络航空航天)
专利号:2022101055951
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发明专利发明专利
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两层Femtocell网络中非理想CSI下的最优鲁棒功率控制方法
专利号:2016108102642
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发明专利发明专利
一种新型高跨导的增强型HEMT器件及其制备方法
专利号:2022110079993
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发明专利发明专利
一种高耐压增强型的双异质结栅极HEMT及其制备方法
专利号:2022103828600
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发明专利发明专利
一种可调节的复合凹槽栅EHEMT器件及制备方法
专利号:2021106576236
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发明专利发明专利
一种高耐压双栅极横向HEMT器件及其制备方法
专利号:2021102595115
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发明专利发明专利
GaN基自支撑衬底的垂直结构HEMT器件及制备方法
专利号:2019102818370
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发明专利发明专利
一种AlGaNGaNHEMT器件性能测试装置及其使用方法
专利号:202411531948X
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发明专利发明专利
一种金刚石热沉衬底GaNHEMTs制备方法
专利号:2016110844138
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