一种集成GaN二极管温度传感器的HEMT及制备方法(高校公示30天)(不包年费滞纳金)

本发明涉及一种集成GaN二极管温度传感器的HEMT及制备方法，器件包括：衬底层；缓冲层位于衬底层的上表面；沟道层位于缓冲层的上表面；势垒层位于沟道层的上表面；隔离层由势垒层的上表面延伸至缓冲层的下表面，将势垒层的上表面分为二极管区和HEMT区；第一P‑GaN层位于二极管区；P+GaN层位于第一P‑GaN层的上表面。通过将GaN二极管温度传感器集成在HEMT内部，避免了分开制备再集成过程中的不稳定因素对系统性能的影响；减小了整体器件尺寸，提高了集成度；并且HEMT工作中产生的温度变化通过缓冲层、沟道层和势垒层传导到集成的GaN二极管上，提高了温度传感器的温度采集灵敏度，优化了温度传感器的性能。

《一种集成GaN二极管温度传感器的HEMT及制备方法(高校公示30天)(不包年费滞纳金)》是一发明专利，专利号为 2024100502340，当前法律状态为已下证，由西安电子科技大学提出申请，发明人为江希;陈靓;袁嵩;严兆恒;邓超凡;弓小武，申请日期为2024-01-12，公开（公告）日期为2024-09-10，国际专利分类号（IPC）为 H01L 29/778 (2006.01)，高新资质：未报高企，所属技术领域包括：电力电子、功率半导体、高功率转换、5G通信、航空航天电子、新能源汽车、工业电机。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明涉及一种集成GaN二极管温度传感器的HEMT及制备方法，器件包括：衬底层；缓冲层位于衬底层的上表面；沟道层位于缓冲层的上表面；势垒层位于沟道层的上表面；隔离层由势垒层的上表面延伸至缓冲层的下表面，将势垒层的上表面分为二极管区和HEMT区；第一P‑GaN层位于二极管区；P+GaN层位于第一P‑GaN层的上表面。通过将GaN二极管温度传感器集成在HEMT内部，避免了分开制备再集成过程中的不稳定因素对系统性能的影响；减小了整体器件尺寸，提高了集成度；并且HEMT工作中产生的温度变化通过缓冲层、沟道层和势垒层传导到集成的GaN二极管上，提高了温度传感器的温度采集灵敏度，优化了温度传感器的性能。

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