一种氮极性GaN基HEMT-LED集成芯片及其制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）
所属领域：发明专利 · 已下证
发明专利专利号2025106712065
专利类型发明专利
专利状态已下证
专利领域
专利价格****
公开（公告）号2025106712065
IPC分类H10H 29/10 (2025.01)
申请日2025-05-23
公开日2026-03-27
申请人吉林大学
发明人张源涛;李逸;邓高强;马皓天;高浩哲
专利权人吉林大学
授权公告号CN120547999B
高企状态未报高企
专利摘要
一种氮极性GaN基HEMT‑LED集成芯片及其制备方法，属于半导体芯片制备技术领域。该芯片在同一衬底上集成氮极性HEMT和氮极性LED器件，HEMT由衬底层、AlN缓冲层、高阻GaN模板层、Al
专利解读
《一种氮极性GaN基HEMT-LED集成芯片及其制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 2025106712065，当前法律状态为已下证，由吉林大学提出申请，发明人为张源涛;李逸;邓高强;马皓天;高浩哲，申请日期为2025-05-23，公开（公告）日期为2026-03-27，国际专利分类号（IPC）为 H10H 29/10 (2025.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：一种氮极性GaN基HEMT‑LED集成芯片及其制备方法，属于半导体芯片制备技术领域。该芯片在同一衬底上集成氮极性HEMT和氮极性LED器件，HEMT由衬底层、AlN缓冲层、高阻GaN模板层、Al
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