一种GaNHEMT环形振荡器及其制作方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

本发明涉及半导体器件技术领域，尤其为一种GaN HEMT环形振荡器及其制作方法，其方法包括如下步骤：提前准备好GaN基片、金属电极材料和绝缘层材料，并将GaN基片进行清洗和平整度处理；选择金属有机分解物，将金属有机分解物注入反应炉中，让反应炉的温度保持在800℃到1100℃之间，气体流量在60到400立方厘米每分钟，再加入金属电极材料。本发明具备突破Si基材料限制的优点，GaN HEMT环形振荡器利用氮化镓材料研发的振荡器技术，具有卓越的高频性能和功率特性，相比于传统的硅基器件，GaN HEMT环形振荡器能够实现更高的频率范围、更高的功率增益和更高的效率；通过采用GaN HEMT环形振荡器，可以克服硅材料在高频和高功率应用中所面临的物理极限。

《一种GaNHEMT环形振荡器及其制作方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 2024100423940，当前法律状态为已下证，由苏州科技大学提出申请，发明人为孙云飞;陈丽香;孙佳惟;阙妙玲，申请日期为2024-01-11，公开（公告）日期为2024-07-05，国际专利分类号（IPC）为 H01L 27/085 (2006.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，尤其为一种GaN HEMT环形振荡器及其制作方法，其方法包括如下步骤：提前准备好GaN基片、金属电极材料和绝缘层材料，并将GaN基片进行清洗和平整度处理；选择金属有机分解物，将金属有机分解物注入反应炉中，让反应炉的温度保持在800℃到1100℃之间，气体流量在60到400立方厘米每分钟，再加入金属电极材料。本发明具备突破Si基材料限制的优点，GaN HEMT环形振荡器利用氮化镓材料研发的振荡器技术，具有卓越的高频性能和功率特性，相比于传统的硅基器件，GaN HEMT环形振荡器能够实现更高的频率范围、更高的功率增益和更高的效率；通过采用GaN HEMT环形振荡器，可以克服硅材料在高频和高功率应用中所面临的物理极限。

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