一种高线性度的GaNHEMT射频功率器件（电力电子科技电缆信号传输安防通信网络航空航天）

本发明公开了一种高线性度的GaN HEMT射频功率器件，包括依次设置的衬底层、缓冲层、沟道层、阻挡层、保护层，在保护层的上方设置源极、栅极和漏极；其中，所述保护层形成L形槽，所述源极设置在L形槽的顶部使源极端口和栅极端口在水平空间上相互错开。采用本发明的技术方案，将保护层做成一个L形槽，使得源极端口往竖直方向抬升，达到Source端口的底部与Gate端口的顶端齐平，从而根本上消除了Cgs的存在，Δ随着输出功率增加时，Cgs不再影响Δ值的变化，从而缓解了Δ值远离0的趋势，有效的改善了器件线性度。

《一种高线性度的GaNHEMT射频功率器件（电力电子科技电缆信号传输安防通信网络航空航天）》是一发明专利，专利号为 2022101055951，当前法律状态为已下证，由杭州电子科技大学提出申请，发明人为程知群;乐超，申请日期为2022-01-28，公开（公告）日期为2025-09-09，国际专利分类号（IPC）为 H10D 62/10 (2025.01)，所属技术领域包括：电力电子科技电缆信号传输安防通信网络航空航天。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明公开了一种高线性度的GaN HEMT射频功率器件，包括依次设置的衬底层、缓冲层、沟道层、阻挡层、保护层，在保护层的上方设置源极、栅极和漏极；其中，所述保护层形成L形槽，所述源极设置在L形槽的顶部使源极端口和栅极端口在水平空间上相互错开。采用本发明的技术方案，将保护层做成一个L形槽，使得源极端口往竖直方向抬升，达到Source端口的底部与Gate端口的顶端齐平，从而根本上消除了Cgs的存在，Δ随着输出功率增加时，Cgs不再影响Δ值的变化，从而缓解了Δ值远离0的趋势，有效的改善了器件线性度。

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