技术领域

本实用新型涉及晶体硅生产技术领域，尤其涉及一种太阳能电池晶体硅片清洗设备。

背景技术

在晶体硅片生产工艺中，由于制作工艺差异及异常事件的发生，晶圆表面难免会有污染物，如果不及时清洁，对后期工艺及电池片效率会造成比较大的影响；现有技术中一般是采用喷淋装置直接对晶体硅片表面进行喷洗，但清洗液以较快的速度直接喷至晶体硅片表面会对晶体硅片造成损伤，亟待改进。

实用新型内容

为解决背景技术中存在的技术问题，本实用新型提出一种太阳能电池晶体硅片清洗设备。

本实用新型提出的一种太阳能电池晶体硅片清洗设备，包括清洗池、第一剪叉伸缩架、第二剪叉伸缩架、第一液压缸、第二液压缸和多个连杆；

清洗池设有进水口和出水口；

第一剪叉伸缩架和第二剪叉伸缩架位于清洗池内并相对设置；

第一液压缸和第二液压缸固定在清洗池内，第一液压缸活塞杆与第一剪叉伸缩架顶部连接用于驱动第一剪叉伸缩架沿竖直方向伸缩，第二液压缸活塞杆与第二剪叉伸缩架顶部连接用于驱动第二剪叉伸缩架沿竖直方向伸缩；

第一剪叉伸缩架具有多个第一菱形剪叉框，第一菱形剪叉框沿水平方向的两端分别设有第一夹持块，第二剪叉伸缩架具有多个第二菱形剪叉框，第二菱形剪叉框沿水平方向的两端分别设有第二夹持块；

多个第一菱形剪叉框和多个第二菱形剪叉框一一通过多个连杆连接，多个连杆水平设置。

优选地，第一夹持块和第二夹持快采用橡胶材料制成。

优选地，第一夹持块具有水平的上端面和下端面，第二夹持块具有水平的上端面和下端面。

优选地，第一夹持块顶部和底部分别设有吸盘，第二夹持块顶部和底部分别设有吸盘。

优选地，清洗池平行于第一剪叉伸缩架和第二剪叉伸缩架连线方向的一侧设有开合门。

优选地，清洗池为立方体结构，清洗池的四个侧面均设有多个进水口和多个出水口，每个侧面的多个进水口阵列排布，每个侧面的多个出水口阵列排布。

优选地，第一剪叉伸缩架和第二剪叉伸缩架收缩状态下，第一剪叉伸缩架和第二剪叉伸缩架的顶部高度低于清洗池顶部高度。

本实用新型中，所提出的太阳能电池晶体硅片清洗设备，上下相邻的第一夹持块将待清洗晶体硅片一侧边缘夹持住，上下相邻的第二夹持块将待清洗晶体硅片另一侧边缘夹持住，从而待清洗晶体硅片被稳稳地固定在第一剪叉伸缩架和第二剪叉伸缩架之间，清洗池内通入水流，晶体硅片上的污染物被水流带走，水流不是直接喷向晶体硅片的，因此对晶体硅片基本不会造成损伤。

附图说明

图1为本实用新型提出的一种太阳能电池晶体硅片清洗设备的轴测图；

图2为本实用新型提出的一种太阳能电池晶体硅片清洗设备的正视图；

图3为本实用新型提出的一种太阳能电池晶体硅片清洗设备的侧视图。

具体实施方式

如图1-3所示，图1为本实用新型提出的一种太阳能电池晶体硅片清洗设备的轴测图，图2为本实用新型提出的一种太阳能电池晶体硅片清洗设备的正视图，图3为本实用新型提出的一种太阳能电池晶体硅片清洗设备的侧视图，第一液压缸和第二液压缸未图示。

参照图1-3，本实用新型提出的一种太阳能电池晶体硅片清洗设备，包括清洗池1、第一剪叉伸缩架2、第二剪叉伸缩架3、第一液压缸、第二液压缸和多个连杆4；

清洗池1为立方体结构，清洗池1设有进水口和出水口，清洗过程中在清洗池1内形成水流；

第一剪叉伸缩架2和第二剪叉伸缩架3位于清洗池1内并相对设置，第一剪叉伸缩架2和第二剪叉伸缩架3结构完全相同；

第一液压缸和第二液压缸竖直固定在清洗池1内，第一液压缸活塞杆与第一剪叉伸缩架2顶部连接用于驱动第一剪叉伸缩架2沿竖直方向伸缩，第二液压缸活塞杆与第二剪叉伸缩架3顶部连接用于驱动第二剪叉伸缩架3沿竖直方向伸缩；

第一剪叉伸缩架2具有多个第一菱形剪叉框，第一菱形剪叉框沿水平方向的两端分别设有第一夹持块5，也就是在菱形的两个夹角的位置设有第一夹持块5，参照图3，第一夹持块5向靠近第二剪叉伸缩架3一侧延伸一段距离，第二剪叉伸缩架3具有多个第二菱形剪叉框，第二菱形剪叉框沿水平方向的两端分别设有第二夹持块6，也就是在菱形的两个夹角的位置设有第二夹持块6，参照图3，第二夹持块6向靠近第一剪叉伸缩架2一侧延伸一段距离；

多个第一菱形剪叉框和多个第二菱形剪叉框一一通过多个连杆4连接，多个连杆4水平设置，这样第一剪叉伸缩架2和第二剪叉伸缩架3同升同降，第一菱形剪叉框和第二菱形剪叉框的连线一一水平。

本实施例的太阳能电池晶体硅片清洗设备的具体使用中，任意相邻第一菱形剪叉框和任意相邻第二菱形剪叉框之间用于放置待清洗晶体硅片，先将待清洗晶体硅片放置进入第一剪叉伸缩架2和第二剪叉伸缩架3之间，通过第一液压缸和第二液压缸分别驱动第一剪叉伸缩架2和第二剪叉伸缩架3收缩，上下相邻的第一夹持块5将待清洗晶体硅片一侧边缘夹持住，上下相邻的第二夹持块6将待清洗晶体硅片另一侧边缘夹持住，从而待清洗晶体硅片被稳稳地固定在第一剪叉伸缩架2和第二剪叉伸缩架3之间，清洗池1内通入水流，晶体硅片上的污染物被水流带走，水流不是直接喷向晶体硅片的，因此对晶体硅片基本不会造成损伤。

本实施例中，第一夹持块5和第二夹持快采用橡胶材料制成，第一夹持块5和第二夹持块6将晶体硅片夹持住后，橡胶材料材质较软不会对晶体硅片造成损伤。

进一步地，第一夹持块5具有水平的上端面和下端面，第二夹持块6具有水平的上端面和下端面，第一夹持块5的上下端面和第二夹持块6的上下端面与晶体硅片吻合，从而将晶体硅片夹紧。

在另外一种设计方式上，第一夹持块5顶部和底部分别设有吸盘，第二夹持块6顶部和底部分别设有吸盘，晶体硅片的上下面被晶体硅片牢牢吸附，从而确保晶体硅片在清洗池1内保持稳定。

本实施例中，清洗池1平行于第一剪叉伸缩架2和第二剪叉伸缩架3连线方向的一侧设有开合门，开合门打开后，便于将晶体硅片放置进入第一剪叉伸缩架2和第二剪叉伸缩架3中，晶体硅片放置完毕后，将开合门关闭，开合门与箱体配合处保持密封，防止清洗池1内的水从开合门与箱体配合处泄露出来，开合门未图示。

本实施例中，清洗池1为立方体结构，清洗池1的四个侧面均设有多个进水口和多个出水口，每个侧面的多个进水口阵列排布，每个侧面的多个出水口阵列排布每个进水口与一根进水管连通，每个出水口与一根出水管连通；将四个侧面分别按顺序命名为第一侧面、第二侧面、第三侧面和第四侧面，清洗过程中第一侧面的进水口向清洗池1内进水，第三侧面的出水口打开排水，使得清洗池1内形成水流对晶体硅片进行冲刷；一段时间后第一侧面的进水口停止供水，第三侧面的出水口关闭，第三侧面的进水口打开向清洗池1内供水，第一侧面的出水口打开排水，使得清洗池1内形成水流对晶体硅片进行冲刷，此时的水流方向与上述水流方向相反；一段时间后第三侧面的进水口停止供水，第一侧面的出水口关闭，第二侧面的进水口打开向清洗池1内供水，第四侧面的出水口打开排水，使得清洗池1内形成水流对晶体硅片进行冲刷，此时的水流方向与上述水流方向垂直；一段时间后第二侧面的进水口停止供水，第四侧面的出水口关闭，第四侧面的进水口打开向清洗池1内供水，第二侧面的出水口打开排水，使得清洗池1内形成水流对晶体硅片进行冲刷，可见清洗池1内的水流可以有四个流动方向，从而对晶体硅片在四个不同方向进行冲刷，确保晶体硅片上的污染物完全冲刷下来。

第一剪叉伸缩架2和第二剪叉伸缩架3收缩状态下，第一剪叉伸缩架2和第二剪叉伸缩架3的顶部高度低于清洗池1顶部高度，第一剪叉伸缩架2和第二剪叉伸缩架3收缩后，所有晶体硅片都淹没在清洗液中。

以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。