技术领域

本发明涉及一种恒流管，具体是电子领域的二极管。

背景技术

恒流二极管是近年来问世的半导体恒流器件，能在很宽的电压范围内输出恒定的电流，并具有很高的动态阻抗。由于它们的恒流性能好、价格较低、使用简便，因此目前已被广泛用于恒流源、稳压源、放大器以及电子仪器的保护电路中。

恒流二极管属于两端结型场效应恒流器件。恒流二极管在正向工作时存在一个恒流区，在此区域内IH不随VI而变化；其反向工作特性则与普通二极管的正向特性有相似之处。

恒流二极管的主要参数有：恒定电流（IH），起始饱和电压（VS），正向击穿电压（V(BO)），动态阻抗（ZH），电流温度系数（αT）。其恒定电流一般为0.2～6mA。起始电压表示管子进入恒流区所需要的最小电压。恒流二极管的正向击穿电压通常为30～100V。动态阻抗的定义是工作电压变化量与恒定电流值变化量之比，对恒流管的要求是ZH愈大愈好，当IH较小时ZH可达数兆欧，IH较大时ZH降至数百千欧。电流温度系数由下式确定： αT=[(△IH/IH)/△T]*100%。式中的△IH、△T分别代表恒定电流的变化量与温度变化量。需要指出，恒流二极管的αT可以为正值，也可以是负值，视IH值而定。一般讲，当IH<0.6mA时，αT>0；当IH>0.6mA时，αT<0。因此，IH<0.6mA的恒流管具有正的电流温度系数，IH>0.6mA的管子则具有负的电流温度系数。假如某些管子的IH值略低于0.6mA，那么其αT值伴随IH的变化既可为正，又可为负，通常就用绝对值表示。αT的单位是%/℃。 

传统的恒流管芯片一般为平面工艺的芯片，特点是电极引出端为两个以上，正负极在同一个平面上，且负电极一般设在芯片的下方，该结构增加了恒流管的体积，使用具有一定的局限性，且由于该结构的电极分布，使得恒流管的饱和压降在3-5V之间，影响恒流管的使用性能。

目前市场上芯片的制作过程中无电极3，只有正电极和衬底，这样在正电极和衬底之间是高电阻的硅片，使得饱和压降偏大。

发明内容

本发明的主要任务在于提供一种简化封装的恒流管，具体是一种能适合台面封装形式的、饱和降压达到1.1-3.5V的恒流管。

为了解决以上技术问题，本发明的一种简化封装的恒流管，主要为平面工艺芯片的正负极分别连接引线，并在芯片处进行封装形成的恒流管，其特征在于：所述在所述平面工艺芯片上隔离有电流导通区，负电极引至芯片背面的衬底，在芯片正电极和负电极处分别有焊接一个引脚，形成适合台面封装形式的二极管芯片。

进一步地，所述芯片的封装形式为轴线封装、贴片SMA、贴片SMB、贴片SMC封装形式。

本发明的优点在于：采用在平面工艺芯片上隔离有电流导通区，负电极引至芯片背面的衬底上，实现了将正电极和负电极分布在芯片的正面，改变了传统的负电极在衬底结构，从而使得恒流管的体积减小，饱和压降低，适合台面封装形式。

附图说明

图1为本发明的正视图。

图2为本发明的侧视图。

具体实施方式

实施例1

本发明的恒流管为平面工艺的芯片、与平面工艺芯片的正负电极焊接的引脚及树脂封装构成。本发明的主要创新点在于：平面工艺的芯片结构在原有的结构上进行负电极位置的改进；封装形式改进为台阶芯片封装形式，具体如下：

芯片结构如图1所示，芯片分为三大部分：扩硼区1、扩磷区2和衬底3，所述扩硼区1为正电流导通区，与正电极6连通；所述扩磷区2为负电流导通区，与负电极5连通。本发明的创新点在于：在扩磷区2局部选择几个对称点扩穿形成沟道4，并将负电流导通区通过沟道引穿到芯片背面，与衬底3合并，形成适合轴向封装形式，如图2所示。当然，若是制作贴片封装形式，也适合以下封装形式：SMA、SMB、SMC。优点在于：简化了原来的封装工艺流程，更便于制作及提高效率；性能上，由于负极的位置的改变，饱和降压控制在1.1-3V，电流放大线性更好，开关速度更快。