MOS专利转让_购买MOS专利
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LimosilactobacillusfermentumWMSN-2在预防新生儿坏死性小肠结肠炎方面的应用
专利号:2023114934218
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一种用于氮气还原的AuCu-FeMoS电催化剂的制备方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:202110625845X
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一种利用熔盐电解法生长大面积单晶3R-MoS2薄膜的方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2020100880100
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一种3R-MoS2/碳布复合材料的制备方法及其应用(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2019100802895
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一种羧酸化聚苯胺/磷掺杂分级孔炭/MoS2一体化膜电极的制备方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2023105202687
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MoS2纳米片垂直内嵌生物碳纳米复合材料及其制备方法与应用(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2021107806216
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一种MoSi2-SiC-Cu电导复合陶瓷材料及其制备方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2017111588063
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发明专利发明专利
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一种锂离子电池负极材料用摇铃状Fe3O4/C/MoS2杂化微粒(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2019105847197
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一种非晶态MoS2修饰CoS/Co0.85Se异质纳米管阵列电催化剂的制备方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:201910738031X
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发明专利发明专利
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一种MoSi2@Nb核壳结构材料及其制备方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2022109019633
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发明专利发明专利
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MoS2@COF-Ph复合材料及其制备方法和应用(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2022101836890
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一种基于烷基胺插层的MoS2/C复合材料及其制备方法、应用(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2024109085935
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发明专利发明专利
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负载1T/2HMoS2异质结的Fe/Ni双金属MOF复合材料及其制备方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2022108114359
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一种CQDs-MoS2-ZnS复合材料、制备方法及应用(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:201910671414X
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一种CMOS摄像头可见光通信的数据保密传输方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2020106770551
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一种用于CMOS图像传感器的列级模数转换器及其模数转换方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2022102291646
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可用于单片集成的金刚石基CMOS逻辑电路及制备方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2022102975443
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一种金属极性与氮极性结合的GaN基CMOS器件及其制备方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2023116576621
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一种变压器隔离的SiCMOS驱动电路(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2022110331518
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一种气凝胶型MoS2复合吸附剂及其制备方法和在废水处理中的应用(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2023104565912
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发明专利发明专利
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一种低摩耐磨TiNbMoTaCr/MoS2纳米多层膜及其制备方法和应用(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2023110585595
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MoS2-Mo2CMXene复合材料在制备锂硫电池隔膜中的应用(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:202310932754X
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发明专利发明专利
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碳化硅MOS结构栅氧制备方法及碳化硅MOS结构制备方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:201710623958X
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发明专利发明专利
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一种改善驱动性能的SiCMOSFET主动驱动电路(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:201911116005X
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发明专利发明专利
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一种由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块的封装结构(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2019109137591
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一种由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块的封装结构(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2019109125630
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一种高开通性能的SiCMOSFET驱动电路(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2020101019354
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碳化硅MOSFET干扰源建模方法、设备及存储介质(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2023109054241
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发明专利发明专利
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使用电导法确定MOS器件中半导体掺杂杂质分布的方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2022100321007
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发明专利发明专利
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SiCMOSFET物理模型构建方法、设备及存储介质(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2023111006439
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基于分数阶建模的SiCMOSFET结温测量方法和系统(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2024101943995
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一种基于N掺杂CNT构造PEG-200-2-C@MoSe2@NMWCNT纳米复合异质结材料的合成方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2022114636695
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一种基于改进鲸鱼算法的CMOS电流模式D类功率放大器优化设计方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2021114187206
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一种具有低比导通电阻的SiCMOSFET器件及其制备方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2022101268958
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一种具有低比导通电阻的深槽分裂栅MOSFET(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2022101218130
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一种具有源极场板的高可靠性平面型分裂栅SiCMOSFET器件及其制备方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2021116742567
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发明专利发明专利
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一种高可靠性平面栅SiCMOSFET器件结构及其制备方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2021114846260
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发明专利发明专利
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一种基于推挽式电路的SiC-MOSFET串扰振荡抑制电路及方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2024113216169
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发明专利发明专利
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SiCMOSFET并联均流与振荡抑制电路、方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2024113913670
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发明专利发明专利
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基于罗氏线圈的SiC-MOSFET高频开关电流检测电路(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2022102117480
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可以。「MOS」领域的发明专利可作为高企认定核心自主知识产权(Ⅰ类),实用新型可作为辅助知识产权(Ⅱ类)。本站支持筛选「已报高企」专利,购买后即可用于申报。
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