一种基于推挽式电路的SiC-MOSFET串扰振荡抑制电路及方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）
发明专利本发明公开了一种基于推挽式电路的SiC‑MOSFET串扰振荡抑制电路及方法，抑制电路包括：推挽式电路、状态开关管、电容#imgabs0#和电感#imgabs1#；推挽式电路包括开关管#imgabs2#和#imgabs3#，其中#imgabs4#的源极经过#imgabs5#点连接于隔离供电模块的负压输出端#imgabs6#，#imgabs7#的栅极和#imgabs8#的栅极均经过#imgabs9#点连接于#imgabs10#，#imgabs11#的源极经过#imgabs12#点连接于0V网络，#imgabs13#的漏极和#imgabs14#的漏极均经过#imgabs15#点连接于状态开关管#imgabs16#的栅极；#imgabs17#的源极连接于#imgabs18#点，#imgabs19#的漏极连接于#imgabs20#的栅极；电容#imgabs21#的两极分别连接于0V网络和#imgabs22#点，电感#imgabs23#的两端分别连接于#imgabs24#点和#imgabs25#点；本发明不影响器件开关速度、无需额外控制信号的前提下，有效抑制了串扰振荡。
《一种基于推挽式电路的SiC-MOSFET串扰振荡抑制电路及方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 2024113216169，当前法律状态为已下证，由湖南大学提出申请，发明人为彭英舟;赵崇宇;王泉洁;曹一明;王开春;帅智康，申请日期为2024-09-23，公开（公告）日期为2024-12-06，国际专利分类号（IPC）为 H02M 1/088 (2006.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明公开了一种基于推挽式电路的SiC‑MOSFET串扰振荡抑制电路及方法，抑制电路包括：推挽式电路、状态开关管、电容#imgabs0#和电感#imgabs1#；推挽式电路包括开关管#imgabs2#和#imgabs3#，其中#imgabs4#的源极经过#imgabs5#点连接于隔离供电模块的负压输出端#imgabs6#，#imgabs7#的栅极和#imgabs8#的栅极均经过#imgabs9#点连接于#imgabs10#，#imgabs11#的源极经过#imgabs12#点连接于0V网络，#imgabs13#的漏极和#imgabs14#的漏极均经过#imgabs15#点连接于状态开关管#imgabs16#的栅极；#imgabs17#的源极连接于#imgabs18#点，#imgabs19#的漏极连接于#imgabs20#的栅极；电容#imgabs21#的两极分别连接于0V网络和#imgabs22#点，电感#imgabs23#的两端分别连接于#imgabs24#点和#imgabs25#点；本发明不影响器件开关速度、无需额外控制信号的前提下，有效抑制了串扰振荡。
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