一种基于N掺杂CNT构造PEG-200-2-C@MoSe2@NMWCNT纳米复合异质结材料的合成方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

本发明公开了一种基于N掺杂CNT构造PEG‑200‑2‑C@MoSe2@NMWCNT纳米复合异质结材料的合成方法，N掺杂CNT中，N的掺入会增加表面的自由电子数，从而提高导电性，也会一定程度上提高NNMWCNT的吸附能力。本发明方以五氯化钼、Se、CNT、乙二醇(聚乙二醇)为原料，通过超声分散和后续的煅烧法合成C@MoSe

《一种基于N掺杂CNT构造PEG-200-2-C@MoSe2@NMWCNT纳米复合异质结材料的合成方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 2022114636695，当前法律状态为已下证，由湖南大学提出申请，发明人为邱仁华;杨寅材;王锋，申请日期为2022-11-22，公开（公告）日期为2024-07-02，国际专利分类号（IPC）为 C01B 19/04 (2006.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明公开了一种基于N掺杂CNT构造PEG‑200‑2‑C@MoSe2@NMWCNT纳米复合异质结材料的合成方法，N掺杂CNT中，N的掺入会增加表面的自由电子数，从而提高导电性，也会一定程度上提高NNMWCNT的吸附能力。本发明方以五氯化钼、Se、CNT、乙二醇(聚乙二醇)为原料，通过超声分散和后续的煅烧法合成C@MoSe

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