一种极化结与极化掺杂结构的双沟道SBD器件与制备方法

本发明涉及一种极化结与极化掺杂结构的双沟道SBD器件与制备方法，其包括层叠于基底上由沟道层/插入层/势垒层组成的双沟道结构，位于沟道结构上的极化结，极化结表面设置有欧姆接触阳极，分别与第一沟道结构的侧壁接触的肖特基接触阳极和欧姆接触阴极，肖特基接触阳极延伸至欧姆接触阳极表面，第二势垒层为极化掺杂AlGaN层，其Al组分沿基底指向沟道层的方向上逐渐增大，极化结由极化GaN层和p型极化掺杂AlGaN帽层组成，AlGaN帽层的Al组分沿基底指向沟道层的方向上逐渐减小，该双沟道SBD器件具备开启电压低、导通电阻低和击穿电压高的特性，适用于高温高压环境下工作。

《一种极化结与极化掺杂结构的双沟道SBD器件与制备方法》是一发明专利，专利号为 2022107226696，当前法律状态为已下证，由华南师范大学提出申请，发明人为尹以安;廖峰波，申请日期为2022-06-24，公开（公告）日期为2025-09-12，国际专利分类号（IPC）为 H10D 8/60 (2025.01)，高新资质：未报高企，所属技术领域包括：半导体 肖特基势垒二极管 功率整流；电源；转换器；续流二极管；电力电子；功率模块。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明涉及一种极化结与极化掺杂结构的双沟道SBD器件与制备方法，其包括层叠于基底上由沟道层/插入层/势垒层组成的双沟道结构，位于沟道结构上的极化结，极化结表面设置有欧姆接触阳极，分别与第一沟道结构的侧壁接触的肖特基接触阳极和欧姆接触阴极，肖特基接触阳极延伸至欧姆接触阳极表面，第二势垒层为极化掺杂AlGaN层，其Al组分沿基底指向沟道层的方向上逐渐增大，极化结由极化GaN层和p型极化掺杂AlGaN帽层组成，AlGaN帽层的Al组分沿基底指向沟道层的方向上逐渐减小，该双沟道SBD器件具备开启电压低、导通电阻低和击穿电压高的特性，适用于高温高压环境下工作。

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