一种绿光LED

本发明涉及一种绿光LED，包括依次层叠于衬底上的n型层、多量子阱层、超晶格电子阻挡层、p型层和p型电极；多量子阱层包括n个周期的量子阱结构，单个周期的量子阱结构由InGaN层、第一GaN层、AlGaN插入层和第二GaN层依次层叠而成，AlGaN插入层的Al组分沿衬底指向p型层的方向上逐层增大；超晶格电子阻挡层由m个周期的AlGaN/GaN叠层和设置于该叠层上的AlGaN厚层组成；该多量子阱层和超晶格电子阻挡层的设置有效提高了势垒高度，降低了电子泄露，缓解了热电子的移动速度，促进载流子的更快扩散，改善电流拥堵作用，具有更优的辐射发光性能和更高的调制带宽。

《一种绿光LED》是一发明专利，专利号为 2024113606441，当前法律状态为已下证，由华南师范大学提出申请，发明人为尹以安;韦克俊;莫淇予;谢雅芳，申请日期为2024-09-27，公开（公告）日期为2025-10-21，国际专利分类号（IPC）为 H10H 20/812 (2025.01)，高新资质：未报高企，所属技术领域包括：半导体发光器件 LED芯片 显示照明；背光源；投影；可见光通信；光电子器件。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明涉及一种绿光LED，包括依次层叠于衬底上的n型层、多量子阱层、超晶格电子阻挡层、p型层和p型电极；多量子阱层包括n个周期的量子阱结构，单个周期的量子阱结构由InGaN层、第一GaN层、AlGaN插入层和第二GaN层依次层叠而成，AlGaN插入层的Al组分沿衬底指向p型层的方向上逐层增大；超晶格电子阻挡层由m个周期的AlGaN/GaN叠层和设置于该叠层上的AlGaN厚层组成；该多量子阱层和超晶格电子阻挡层的设置有效提高了势垒高度，降低了电子泄露，缓解了热电子的移动速度，促进载流子的更快扩散，改善电流拥堵作用，具有更优的辐射发光性能和更高的调制带宽。

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