定位制备InAs纳米线阵列的装置及制备方法

本发明涉及一种定位制备InAs纳米线阵列的装置及制备方法，将可控的二维移动装置与限域直流放电相结合，通过控制装置移速、前驱体流速以及气速，能够实现在基板上沉积不同排列间隙及尺寸的贵金属纳米催化剂阵列；实现对InAs纳米线间距的精细控制。本发明相较于常规的溶液制备催化剂方法，步骤更为精简，将催化剂直接通过电流打印在基底上，加快了反应速度，避免使用化学还原剂；本发明还能够通过控制参数来控制催化剂颗粒大小，进而控制反应速率、纳米线成品粗细；本发明制备的催化剂颗粒带有电荷，在静电排斥作用下阻止催化物聚集，保障催化物的均一性，进而保证纳米线成品的纯度和陈列形状。

《定位制备InAs纳米线阵列的装置及制备方法》是一发明专利，专利号为 2023104269745，当前法律状态为已下证，由江南大学提出申请，发明人为林良良;张孜弈，申请日期为2023-04-20，公开（公告）日期为2026-01-09，国际专利分类号（IPC）为 C23C 18/44 (2006.01)，高新资质：未报高企，所属技术领域包括：半导体纳米材料、砷化铟纳米线、纳米线阵列、III-V半导体、定向纳米线、半导体纳米阵列、一维半导体材料、纳米线生长、半导体微纳结构、定向生长工装、红外半导体材料、纳米线制备、半导体纳米晶、阵列化纳米材料、一维半导体纳米结构。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明涉及一种定位制备InAs纳米线阵列的装置及制备方法，将可控的二维移动装置与限域直流放电相结合，通过控制装置移速、前驱体流速以及气速，能够实现在基板上沉积不同排列间隙及尺寸的贵金属纳米催化剂阵列；实现对InAs纳米线间距的精细控制。本发明相较于常规的溶液制备催化剂方法，步骤更为精简，将催化剂直接通过电流打印在基底上，加快了反应速度，避免使用化学还原剂；本发明还能够通过控制参数来控制催化剂颗粒大小，进而控制反应速率、纳米线成品粗细；本发明制备的催化剂颗粒带有电荷，在静电排斥作用下阻止催化物聚集，保障催化物的均一性，进而保证纳米线成品的纯度和陈列形状。

海量优质专利即买即用，四大核心优势助您弯道超车：
🏆 拿资质，享红利：高企认定、专精特新必备！轻松获取政府补贴、税收减免，招投标直接加分！
💎 增信誉，融资金：支持实缴注册资金，彰显企业硬实力；支持专利质押贷款，盘活现金流，扩张不缺钱！
🔥 强背书，防抄袭：印上“专利产品”，客户更信赖！构建技术壁垒，把竞争对手挡在门外，稳占市场份额！
🚀 省时间，快变现：告别漫长研发与高风险！优质专利即买即用，让技术立刻变成真金白银的利润！