一种石墨烯上氮极性GaN基长波长LED芯片及其制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）
所属领域：发明专利 · 已下证
发明专利专利号2024109781556
专利类型发明专利
专利状态已下证
专利领域
专利价格****
公开（公告）号2024109781556
IPC分类H10H 20/81 (2025.01)
申请日2024-07-22
公开日2025-06-06
申请人吉林大学
发明人邓高强;张源涛;于佳琪;赵敬凯;王昱森
专利权人吉林大学
授权公告号CN118919618B
高企状态未报高企
专利摘要
一种石墨上氮极性GaN基长波长LED芯片及其制备方法，属于半导体发光器件领域。其依次由衬底层、石墨烯层、氮极性GaN模板层、氮极性n‑GaN电子提供层、氮极性InGaN基量子阱有源区、氮极性p‑Al
专利解读
《一种石墨烯上氮极性GaN基长波长LED芯片及其制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 2024109781556，当前法律状态为已下证，由吉林大学提出申请，发明人为邓高强;张源涛;于佳琪;赵敬凯;王昱森，申请日期为2024-07-22，公开（公告）日期为2025-06-06，国际专利分类号（IPC）为 H10H 20/81 (2025.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：一种石墨上氮极性GaN基长波长LED芯片及其制备方法，属于半导体发光器件领域。其依次由衬底层、石墨烯层、氮极性GaN模板层、氮极性n‑GaN电子提供层、氮极性InGaN基量子阱有源区、氮极性p‑Al
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