适用于INPC拓扑的IGBT硬开关损耗无电流传感器测量方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

本发明提供了一种适用于INPC拓扑的IGBT硬开关损耗无电流传感器测量方法，从功率器件硬开关过程的物理机理出发，对IGBT在INPC拓扑中的换流过程进行了系统分析，重点研究了IGBT的开关特性。在此基础上，明确了电压波形特性与电流变化及开关损耗之间的映射关系，并建立了相应的硬开关损耗解析模型。本发明所建模型仅依赖于器件数据手册参数及实测集‑射电压数据，无需在主功率回路中引入电流传感器或额外测试结构，即可实现对INPC拓扑中IGBT硬开关损耗的有效评估，测量方法方法对测试条件要求较低，具有较好的工程适用性，其准确性通过仿真结果得到了验证。

《适用于INPC拓扑的IGBT硬开关损耗无电流传感器测量方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 2026103644658，当前法律状态为已下证，由湖南大学提出申请，发明人为徐千鸣;王泽通;唐成;郭鹏;徐百龙;魏伊杨;任绍伟;韩毅;徐马龙;刘鑫，申请日期为2026-03-24，公开（公告）日期为2026-06-09，国际专利分类号（IPC）为 G01R 31/26 (2020.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明提供了一种适用于INPC拓扑的IGBT硬开关损耗无电流传感器测量方法，从功率器件硬开关过程的物理机理出发，对IGBT在INPC拓扑中的换流过程进行了系统分析，重点研究了IGBT的开关特性。在此基础上，明确了电压波形特性与电流变化及开关损耗之间的映射关系，并建立了相应的硬开关损耗解析模型。本发明所建模型仅依赖于器件数据手册参数及实测集‑射电压数据，无需在主功率回路中引入电流传感器或额外测试结构，即可实现对INPC拓扑中IGBT硬开关损耗的有效评估，测量方法方法对测试条件要求较低，具有较好的工程适用性，其准确性通过仿真结果得到了验证。

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