双面阴极螺旋环渐变式硅漂移探测器及其制备方法

本发明公开了一种双面阴极螺旋环渐变式硅漂移探测器及其制备方法，渐变形探测器单元正面和渐变形探测器单元背面位于高阻硅基底相对的两平面上；渐变形探测器单元正面包括第一渐变式P+阴极螺旋环和嵌于其内的N+收集阳极，第一渐变式P+阴极螺旋环由正面圆形区域、正面渐变区域和正面方形区域组成；渐变形探测器单元背面包括第二渐变式P+阴极螺旋环，第二渐变式P+阴极螺旋环由背面圆形区域、背面渐变区域和背面方形区域组成；第二渐变式P+阴极螺旋环中心设有中间电极。通过吸杂氧化工艺在N型高阻硅晶片表面生成二氧化硅层，将探测器图形转移到二氧化硅层上，再进行各部件的刻蚀和离子注入、激活，最后探测器的损伤进行修复。

《双面阴极螺旋环渐变式硅漂移探测器及其制备方法》是一发明专利，专利号为 2019102554955，当前法律状态为已下证，由湖南正芯微电子探测器有限公司提出申请，发明人为李正;熊波，申请日期为2019-04-01，公开（公告）日期为2024-01-05，国际专利分类号（IPC）为 H01L 31/115 (2006.01)，高新资质：未报高企，所属技术领域包括：硅像素探测器、三维粒子探测、位置分辨、封装 / 制冷、器件集成。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明公开了一种双面阴极螺旋环渐变式硅漂移探测器及其制备方法，渐变形探测器单元正面和渐变形探测器单元背面位于高阻硅基底相对的两平面上；渐变形探测器单元正面包括第一渐变式P+阴极螺旋环和嵌于其内的N+收集阳极，第一渐变式P+阴极螺旋环由正面圆形区域、正面渐变区域和正面方形区域组成；渐变形探测器单元背面包括第二渐变式P+阴极螺旋环，第二渐变式P+阴极螺旋环由背面圆形区域、背面渐变区域和背面方形区域组成；第二渐变式P+阴极螺旋环中心设有中间电极。通过吸杂氧化工艺在N型高阻硅晶片表面生成二氧化硅层，将探测器图形转移到二氧化硅层上，再进行各部件的刻蚀和离子注入、激活，最后探测器的损伤进行修复。

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