方形螺旋硅漂移探测器及其制备方法

本发明公开了一种方形螺旋硅漂移探测器及其制备方法，包括正面设有圆形的n+收集阳极、方形螺旋阴极和正面保护环的基片，方形螺旋阴极环绕n+收集阳极分布，且方形螺旋阴极的宽度由内向外逐渐变宽，正面保护环环绕螺旋阴极分布；基片反面设有反面电极、入射窗口和反面保护环，入射窗口和反面电极紧密相连且均位于反面保护环内，反面电极极性为阴极。先依据方形螺旋硅漂移探测器的结构设计制备掩膜板，依次经过匀胶、烘干、对准相应掩膜板、曝光、显影、检查、后烘，利用光刻胶覆盖无需刻蚀部位，并进行刻蚀，然后注入相应离子，制得N

《方形螺旋硅漂移探测器及其制备方法》是一发明专利，专利号为 2019102554175，当前法律状态为已下证，由湖南脉探芯半导体科技有限公司提出申请，发明人为李正;唐立鹏，申请日期为2019-04-01，公开（公告）日期为2024-04-19，国际专利分类号（IPC）为 H01L 31/0352 (2006.01)，高新资质：未报高企，所属技术领域包括：硅像素探测器、三维粒子探测、位置分辨、封装 / 制冷、器件集成。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明公开了一种方形螺旋硅漂移探测器及其制备方法，包括正面设有圆形的n+收集阳极、方形螺旋阴极和正面保护环的基片，方形螺旋阴极环绕n+收集阳极分布，且方形螺旋阴极的宽度由内向外逐渐变宽，正面保护环环绕螺旋阴极分布；基片反面设有反面电极、入射窗口和反面保护环，入射窗口和反面电极紧密相连且均位于反面保护环内，反面电极极性为阴极。先依据方形螺旋硅漂移探测器的结构设计制备掩膜板，依次经过匀胶、烘干、对准相应掩膜板、曝光、显影、检查、后烘，利用光刻胶覆盖无需刻蚀部位，并进行刻蚀，然后注入相应离子，制得N

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