一种环境友好型Sn-Sb-Ti纳米复合相变薄膜及其制备方法

一种环境友好型Sn‑Sb‑Ti纳米复合相变薄膜，其化学组成符合化学通式(SnxSb1‑x)1‑yTiy，其中，0.052Sb2Te5及未掺杂SnxSb1‑x相变薄膜相比，本发明的钛掺杂Sn‑Sb薄膜具有较快的晶化速度，有利于提高PCRAM的存储速率；其次，(SnxSb1‑x)1‑yTiy纳米相变薄膜材料具有较高的晶化温度、结晶激活能和十年数据保持力，有益于改善PCRAM的稳定性；再次，相比未掺钛的SnxSb1‑x薄膜材料，(SnxSb1‑x)1‑yTiy纳米相变薄膜材料具有更高的非晶态和晶态电阻，有助于降低PCRAM操作功耗，提升PCRAM存储密度。

《一种环境友好型Sn-Sb-Ti纳米复合相变薄膜及其制备方法》是一发明专利，专利号为 2017112952697，当前法律状态为已售，由江苏理工学院提出申请，发明人为吴卫华;朱小芹;薛建忠;袁丽;胡益丰;邹华，公开（公告）日期为2019-06-18，国际专利分类号（IPC）为 H01L45/00(2006.01)I，高新资质：未报高企，所属技术领域包括：微电子材料与信息存储技术。该专利权属清晰，可通过正规流程办理转让，适用于企业技术升级、资质申报与战略布局。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：一种环境友好型Sn‑Sb‑Ti纳米复合相变薄膜，其化学组成符合化学通式(SnxSb1‑x)1‑yTiy，其中，0.052Sb2Te5及未掺杂SnxSb1‑x相变薄膜相比，本发明的钛掺杂Sn‑Sb薄膜具有较快的晶化速度，有利于提高PCRAM的存储速率；其次，(SnxSb1‑x)1‑yTiy纳米相变薄膜材料具有较高的晶化温度、结晶激活能和十年数据保持力，有益于改善PCRAM的稳定性；再次，相比未掺钛的SnxSb1‑x薄膜材料，(SnxSb1‑x)1‑yTiy纳米相变薄膜材料具有更高的非晶态和晶态电阻，有助于降低PCRAM操作功耗，提升PCRAM存储密度。

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