IGBT专利转让_购买IGBT专利
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发明专利发明专利
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计算IGBT模块瞬态结温的方法和系统(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2017103762068
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发明专利发明专利
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一种圆形大尺寸IGBT芯片压接封装结构及制造方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2017114105568
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发明专利发明专利
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一种RC-IGBT型储能变换器的驱动控制方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2019101669078
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发明专利发明专利
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三电平二极管退饱和控制的逆导型IGBT驱动方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2019101780855
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发明专利发明专利
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一种抑制dv/dt,di/dt噪音产生的高压SiCIGBT的结构(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2019113480300
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发明专利发明专利
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一种由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块的封装结构(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2019109137591
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发明专利发明专利
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基于大电流饱和压降的IGBT结壳热阻测量方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2021113131788
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发明专利发明专利
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一种由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块的封装结构(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2019109125630
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发明专利发明专利
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一种低泄漏电流的IGBT器件及其制备方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2021112652311
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发明专利发明专利
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一种IGBT物理模型参数获取方法及装置(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2023104929139
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发明专利发明专利
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IGBT动态雪崩电流丝预测方法及系统(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:202310721339X
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发明专利发明专利
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IGBT设计参数全局优化方法及系统(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:202310588502X
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发明专利发明专利
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IGBT功率模块寿命预测方法及装置(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2023108540219
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发明专利发明专利
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IGBT芯片及集成测温单元的IGBT元胞、方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:202310770400X
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发明专利发明专利
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IGBT芯片内部温度建模方法、设备及存储介质(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2023107699938
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一种发射极伸入衬底凹槽的IGBT芯片(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2023108705527
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IGBT芯片多元胞电热耦合仿真方法及系统(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2024111039583
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一种IGBT芯片及其驱动方法、存储介质(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2022103927979
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适用于INPC拓扑的IGBT硬开关损耗无电流传感器测量方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2026103644658
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一种控制器IGBT结温在线监测方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:202411718844X
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一种由功率循环生热的IGBT模块温度和应力测试装置及方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:202011237611X
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IGBT模块的覆铜板陶瓷和无氧铜箔的连接工艺(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2022115329586
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一种带有电荷可调型场板的横向绝缘栅双极型晶体管
专利号:2017110409935
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一种绝缘栅器件阈值电压的不停机测量方法(电力电子、半导体器件、驱动集成电路,光伏逆变器、电力设备)
专利号:2020113128600
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可阵列控制的智能半桥开关模块及其控制方法
专利号:2020103577054
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一种结合HK集电极栅的SJ-LIGBT器件结构(高校公示30天)(不包年费滞纳金)
专利号:2024111755441
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一种内嵌浮空N+区的LIGBT型ESD防护器件(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2019104886601
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一种具有N型电荷层的低EMI噪声IGBT器件(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2022105224319
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发明专利发明专利
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一种LIGBT型高压ESD保护器件(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2018109929897
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一种自适应抑制SiIGBT和SiCMOSFET混合并联串扰的驱动电路(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)
专利号:2024116394524
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一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC-LIGBT器件
专利号:2019100235635
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一种具有L型SiO2隔离层的复合型RC-LIGBT器件
专利号:2019102139844
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一种具有背面双MOS结构的快速关断RC-IGBT器件
专利号:2020107313214
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发明专利发明专利
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一种集成表面和体内反并联二极管的LIGBT器件
专利号:2021115063906
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一种集成四种MOSFET的RC-LIGBT器件
专利号:2022105063124
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一种集成双自偏置MOS低关断损耗的RC-LIGBT器件
专利号:2022105177619
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发明专利发明专利
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一种集成自偏置PMOS的低功耗LIGBT器件
专利号:2022113184775
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一种集成辅助耗尽栅的低功耗RC-IGBT器件
专利号:2022113923813
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发明专利发明专利
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一种集成自偏置PMOS的抗短路SJ-LIGBT器件
专利号:202310562730X
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发明专利发明专利
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一种引入深沟槽和自偏置PMOS的SOI-LIGBT器件
专利号:2024116534411
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关于「IGBT」专利转让
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