可阵列控制的智能半桥开关模块及其控制方法

本发明公开了可阵列控制的智能半桥开关模块及其控制方法，在将传统IGBT功率模块内IGBT芯片分成阵列的同时给每个芯片的二极管支路增加了一个电子开关，电子开关可以选用MOSFET。增加的电子开关使得在二极管导通和关断也可控，在二极管支路续流过程中通过对各个二极管支路的分别控制使得其承受的电流应力变得平滑，减小了由于电应力波动对二极管造成的冲击和损耗，增加了功率模块的使用寿命，进一步提高了功率模块自由度和应用灵活性。

《可阵列控制的智能半桥开关模块及其控制方法》是一发明专利，专利号为 2020103577054，当前法律状态为已下证，由陕西科技大学提出申请，发明人为石勇;申铭炎，申请日期为2020-04-29，公开（公告）日期为2024-11-26，国际专利分类号（IPC）为 H02M 7/797 (2006.01)，高新资质：未报高企，所属技术领域包括：电力系统、电力电子变换器中IGBT功率。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明公开了可阵列控制的智能半桥开关模块及其控制方法，在将传统IGBT功率模块内IGBT芯片分成阵列的同时给每个芯片的二极管支路增加了一个电子开关，电子开关可以选用MOSFET。增加的电子开关使得在二极管导通和关断也可控，在二极管支路续流过程中通过对各个二极管支路的分别控制使得其承受的电流应力变得平滑，减小了由于电应力波动对二极管造成的冲击和损耗，增加了功率模块的使用寿命，进一步提高了功率模块自由度和应用灵活性。

海量优质专利即买即用，四大核心优势助您弯道超车：
🏆 拿资质，享红利：高企认定、专精特新必备！轻松获取政府补贴、税收减免，招投标直接加分！
💎 增信誉，融资金：支持实缴注册资金，彰显企业硬实力；支持专利质押贷款，盘活现金流，扩张不缺钱！
🔥 强背书，防抄袭：印上“专利产品”，客户更信赖！构建技术壁垒，把竞争对手挡在门外，稳占市场份额！
🚀 省时间，快变现：告别漫长研发与高风险！优质专利即买即用，让技术立刻变成真金白银的利润！