技术领域

 本发明涉及一种电子领域的恒流管，具体是主要为芯片与框架焊接为一体后，在芯片的电极上分别引出引脚，并封装构成的恒流管。

背景技术

LED是一种可直接将电能转化为可见光和辐射能的发光器件，具有工作电压低，耗电量小，发光效率高，发光响应时间极短，光色纯，结构牢固，抗冲击，耐振动，性能稳定可靠，重量轻，体积小，成本低等一系列特性，发展突飞猛进，现已能批量生产整个可见光谱段各种颜色的高亮度、高性能产品。国产红、绿、橙、黄的LED产量约占世界总量的12％，“十五”期间的产业目标是达到年产300亿只的能力，实现超高亮度AiGslnP的LED外延片和芯片的大生产，年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度LED管芯，突破GaN材料的关键技术，实现蓝、绿、白的LED的中批量生产。据预测，到2005年国际上LED的市场需求量约为2000亿只，销售额达800亿美元。

近几年，LED的发光效率增长100倍，成本下降10倍，广泛用于大面积图文显示全彩屏，状态指示、标志照明、信号显示、液晶显示器的背光源，汽车组合尾灯及车内照明等等方面，其发展前景吸引全球照明大厂家都先后加入LED光源及市场开发中。极具发展与应用前景的是白光LED，用作固体照明器件的经济性显著，且有利环保，正逐步取代传统的白炽灯，世界年增长率在20％以上，美、日、欧及中国台湾省均推出了半导体照明计划。目前，普通白光LED发光效率25lm／W，专家预计2005年可能超过300lm／W。功率型LED优异的散热特性与光学特性更能适应普通照明领域，被学术界和产业界认为是LED进入照明市场的必由之路。为替代荧光灯、白光LED必须具有150-200lm／W的光效，且每Im的价格应明显低于0．015／Im(现价约0．25$／Im，红LED为0．065／Im)，要实现这一目标仍有很多技术问题需要研究，但克服解决这些问题并不是十分遥远的事。按固体发光物理学原理，LED的发光效率能近似100％，因此，LED被誉为21世纪新光源，有望成为继白炽灯、荧光灯、高强度气体放电灯之后的第四代光源。

因此，LED的作用由上可见，驱动电源的性能提高也有了迫切的需求。而恒流管作为驱动电源的部件之一，其能在很宽的电压范围内输出恒定的电流，并具有很高的动态阻抗。由于横流性能好、价格低、使用简便，被广泛应用于恒流源、稳压源、放大器以及电子仪器的保护电路中。

与本发明相关的恒流管有以下几种封装形式：TO-126；TO-92; TO-220；DO-15、DO-41、DO-27、SMA、SMB、SMC。

但是目前的恒流管有一个缺陷：饱和压降在3-5V之间。

发明内容

本发明的主要任务在于提供一种低饱和压降的恒流管，具体是一种饱和压降能控制在1.1-3.5V的恒流管。

为了解决以上技术问题，本发明的一种低饱和压降的恒流管，主要为芯片与框架焊接为一体后，在芯片的电极上分别引出引脚，并封装构成，其特征在于：所述芯片上增加负电极窗口，将负电极引至负电极窗口中，与框架焊接为一体，所述负电极从框架处引出。

本发明的优点在于：缩短了正负极间的距离，减少了导通电阻，从而降低了恒流管的导通饱和压降。

附图说明

图1为本发明的结构示意图。

图2为本发明的侧视图。

图3为本发明不同状态的性能检测曲线图。

具体实施方式

本发明的恒流管建议使用电压为5-10V，可承受电压为70V。

电流为40mA以下的，封装形式为TO-92，也可以为DO-41、DO-15和SMA、SMB。40-150 mA的产品以TO-126、DO-27和SMC为主。150mA以上产品主要以TO-220 封装。

以上所有不同的封装形式的恒流管，其内部结构相同，均如图所示：

本发明的恒流管封装内部的结构为：芯片1的衬底与框架6焊接为一体。芯片1的正面上设正极2、负极3。正极2设在芯片1上，用引脚8引出；负极3设在芯片1下方，将负极3用跳线5与框架6连接为一体后，在框架处焊接引脚7引出。与传统的结构相比，传统封装芯片上没有负极3，也没有负极3与衬底连在一起。

以上结构的恒流管，在不同的的电压下进行检测，检测的曲线示意图如图3所示，将图3的结果进行整理，得到如表1所示的结果：

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