一种可抑制工艺漂移的零温度系数产生电路及芯片

本实用新型涉及一种可抑制工艺漂移的零温度系数产生电路，旨在提高基准电流的工艺抗干扰性和温度稳定性。电路包括基准电路、运算放大器、第一MOS管、第二MOS管、第一电阻和第二电阻。通过基准电路提供稳定的基准电压，运算放大器调节第一MOS管的栅极电压，以控制电流的精度。同时，第二电阻与第一电阻为相同类型，以抵消工艺漂移引起的电阻变化影响，进一步稳定输出电流。该电路能够集成于模数混合芯片中，节省成本并提高整体电路性能。

《一种可抑制工艺漂移的零温度系数产生电路及芯片》是一实用新型，专利号为 2024221376803，当前法律状态为已下证，由廖玉彬提出申请，发明人为廖玉彬，申请日期为2024-08-30，公开（公告）日期为2025-07-01，国际专利分类号（IPC）为 G05F 1/567 (2006.01)，高新资质：未报高企，所属技术领域包括：半导体封装、电路板封装、集成电路封装、电子制造、半导体加工、芯片封装、电子元器件制造、芯片、芯片加工。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本实用新型涉及一种可抑制工艺漂移的零温度系数产生电路，旨在提高基准电流的工艺抗干扰性和温度稳定性。电路包括基准电路、运算放大器、第一MOS管、第二MOS管、第一电阻和第二电阻。通过基准电路提供稳定的基准电压，运算放大器调节第一MOS管的栅极电压，以控制电流的精度。同时，第二电阻与第一电阻为相同类型，以抵消工艺漂移引起的电阻变化影响，进一步稳定输出电流。该电路能够集成于模数混合芯片中，节省成本并提高整体电路性能。

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