一种二维原子层材料应变场控制方法

本发明提供一种二维原子层材料应变场控制方法，包括以下步骤：步骤1：在透明基底上制备纳米吸光层和二氧化硅纳米薄膜；步骤2：把二维原子层材料转移至所述二氧化硅纳米薄膜表面；步骤3：令聚焦激光束穿过所述透明基底辐照所述纳米吸光层，从而获得二氧化硅纳米鼓包，同时对二维原子层材料施加局域应变；步骤4：通过控制聚焦激光束的移动轨迹、能量密度来对二维原子层材料施加复杂应变场，从而完成对二维原子层材料应变场的控制。本发明实施例提供的方法简单高效，绿色环保，在二维原子层材料的应变调控与器件制备方面有广阔的应用前景。

《一种二维原子层材料应变场控制方法》是一发明专利，专利号为 2022100503058，当前法律状态为已下证，由青岛科技大学提出申请，发明人为王雷，申请日期为2022-01-17，公开（公告）日期为2025-11-21，国际专利分类号（IPC）为 H10F 77/30 (2025.01)，高新资质：未报高企，所属技术领域包括：半导体材料、新材料、原子、晶体管、石墨烯、精密加工、精密制造。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明提供一种二维原子层材料应变场控制方法，包括以下步骤：步骤1：在透明基底上制备纳米吸光层和二氧化硅纳米薄膜；步骤2：把二维原子层材料转移至所述二氧化硅纳米薄膜表面；步骤3：令聚焦激光束穿过所述透明基底辐照所述纳米吸光层，从而获得二氧化硅纳米鼓包，同时对二维原子层材料施加局域应变；步骤4：通过控制聚焦激光束的移动轨迹、能量密度来对二维原子层材料施加复杂应变场，从而完成对二维原子层材料应变场的控制。本发明实施例提供的方法简单高效，绿色环保，在二维原子层材料的应变调控与器件制备方面有广阔的应用前景。

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