一种用于相变存储器的Sb-Se-Ti系列纳米复合相变薄膜及其制备方法
发明专利一种用于相变存储器的Sb‑Se‑Ti系列纳米复合相变薄膜,其化学组成符合化学通式(SbxSe1‑x)1‑yTiy,其中,0.25xSe1‑x)1‑yTiy纳米相变薄膜材料具有较高的晶化温度、结晶激活能和十年数据保持力,有益于改善PCRAM的稳定性,具有良好的市场应用潜力。
《一种用于相变存储器的Sb-Se-Ti系列纳米复合相变薄膜及其制备方法》是一发明专利,专利号为 2017112981492,当前法律状态为已售,由江苏理工学院提出申请,发明人为吴卫华;朱小芹;眭永兴;郑龙;胡益丰;邹华,公开(公告)日期为2019-06-18,国际专利分类号(IPC)为 H01L45/00(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I,高新资质:未报高企,所属技术领域包括:材料科学与工程.纳米技术与纳米材料.半导体存储技术.微电子制造与器件工艺。该专利权属清晰,可通过正规流程办理转让,适用于企业技术升级、资质申报与战略布局。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更(过户)的一站式专利转让服务,专业顾问全程协助,确保交易合规、安全、高效。专利摘要:一种用于相变存储器的Sb‑Se‑Ti系列纳米复合相变薄膜,其化学组成符合化学通式(SbxSe1‑x)1‑yTiy,其中,0.25xSe1‑x)1‑yTiy纳米相变薄膜材料具有较高的晶化温度、结晶激活能和十年数据保持力,有益于改善PCRAM的稳定性,具有良好的市场应用潜力。
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