一种高储能的BT-BMT体系陶瓷及其制备和电容器

本发明涉及铁电陶瓷材料领域，尤其涉及一种高储能的BT‑BMT体系陶瓷及其制备和电容器。该BT‑BMT体系陶瓷的通过掺杂BMT，形成PNRs结构，得到BT‑xBMT体系陶瓷,其化学通式为：(1‑x)BT‑xBi(Mg

《一种高储能的BT-BMT体系陶瓷及其制备和电容器》是一发明专利，专利号为 2023103496864，当前法律状态为已下证，由聊城大学提出申请，发明人为付鹏;尹明;张英;颜梦寒;张志飞;李伟;郝继功，申请日期为2023-03-30，公开（公告）日期为2024-09-06，国际专利分类号（IPC）为 C04B 35/468 (2006.01)，高新资质：未报高企，所属技术领域包括：材料科学与工程 电子功能材料 电介质储能技术固态物理与铁电/弛豫铁电体研究。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明涉及铁电陶瓷材料领域，尤其涉及一种高储能的BT‑BMT体系陶瓷及其制备和电容器。该BT‑BMT体系陶瓷的通过掺杂BMT，形成PNRs结构，得到BT‑xBMT体系陶瓷,其化学通式为：(1‑x)BT‑xBi(Mg

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