Sr/Co共掺杂CCTO巨介电陶瓷的制备方法及其应用（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

本发明公开了Sr/Co共掺杂CCTO巨介电陶瓷的制备方法及其应用，属于陶瓷制备技术领域，解决了现有技术对CCTO单掺杂改性时，存在CCTO介电常数和介电损耗同时增大或减小的问题，包括对粉体原料进行一次球磨处理，球磨处理完毕后干燥，对前驱粉体进行预烧，对预烧粉体进行二次球磨处理，并对二次球磨处理后的预烧粉体干燥处理，得到陶瓷粉体，对陶瓷粉体进行压片成型，将生胚烧结得到Sr/Co共掺杂CCTO巨介电陶瓷材料；本发明利用Sr

《Sr/Co共掺杂CCTO巨介电陶瓷的制备方法及其应用（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 2025105104240，当前法律状态为已下证，由南昌航空大学提出申请，发明人为毛蒲;冯惠敏;刘智勇;谢兵;郭坤，申请日期为2025-04-23，公开（公告）日期为2026-01-06，国际专利分类号（IPC）为 C04B 35/462 (2006.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明公开了Sr/Co共掺杂CCTO巨介电陶瓷的制备方法及其应用，属于陶瓷制备技术领域，解决了现有技术对CCTO单掺杂改性时，存在CCTO介电常数和介电损耗同时增大或减小的问题，包括对粉体原料进行一次球磨处理，球磨处理完毕后干燥，对前驱粉体进行预烧，对预烧粉体进行二次球磨处理，并对二次球磨处理后的预烧粉体干燥处理，得到陶瓷粉体，对陶瓷粉体进行压片成型，将生胚烧结得到Sr/Co共掺杂CCTO巨介电陶瓷材料；本发明利用Sr

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