一种层状阵列化TMDC异质结、光电探测器及其制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

本发明属于层状材料光电探测技术领域，提供了一种层状阵列化TMDC(少层过渡金属硫族化物)异质结、光电探测器及其制备方法。本发明提供的层状阵列化TMDC异质结，包括层叠设置的第一层状TMDC和第二层状TMDC；所述第一层状TMDC具有纳米阵列结构。本发明的异质结中，第一层状TMDC具有的阵列结构，提高了层状TMDC的光学增强效应；同时，光学增强效应促进了光生载流子的产生以及电子与空穴对的分离，进而使得由层状阵列化TMDC异质结构建的光电探测器具有较高的光响应度和较快的响应时间；另外，在不同偏振下纳米阵列结构的光学共振具有差异，同样在进行光电探测时，丰富了光电探测器的偏振敏感探测能力。

《一种层状阵列化TMDC异质结、光电探测器及其制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 2022111077891，当前法律状态为已下证，由暨南大学提出申请，发明人为严佳豪;杨心珠;刘心悦，申请日期为2022-09-13，公开（公告）日期为2025-07-29，国际专利分类号（IPC）为 H10F 77/12 (2025.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明属于层状材料光电探测技术领域，提供了一种层状阵列化TMDC(少层过渡金属硫族化物)异质结、光电探测器及其制备方法。本发明提供的层状阵列化TMDC异质结，包括层叠设置的第一层状TMDC和第二层状TMDC；所述第一层状TMDC具有纳米阵列结构。本发明的异质结中，第一层状TMDC具有的阵列结构，提高了层状TMDC的光学增强效应；同时，光学增强效应促进了光生载流子的产生以及电子与空穴对的分离，进而使得由层状阵列化TMDC异质结构建的光电探测器具有较高的光响应度和较快的响应时间；另外，在不同偏振下纳米阵列结构的光学共振具有差异，同样在进行光电探测时，丰富了光电探测器的偏振敏感探测能力。

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