一种位线泄漏电流补偿和BCAM复用电路及补偿方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

本发明涉及一种位线泄漏电流补偿和BCAM复用电路及补偿方法。该位线泄漏电流补偿和BCAM复用电路包括由多个SRAM单元组成的存储阵列以及补偿模块；每列SRAM单元共享位线且构成一个基本的存储模块；补偿模块包括8个PMOS管P0～P7和2个补偿电容C1、C2；P0、P1、P2、P3的漏极作为补偿模块的四个输入端与存储模块的四条位线相接；C1、C2的上极板连接端out、outb作为存储模块执行正常读写操作时的结果输出端；C1、C2的下极板连接端bout、boutb作为存储模块执行BCAM寻址操作时的结果输出端。本发明涉及的补偿模块能够减少因漏电流存在而导致寻址或读取错误的情况。

《一种位线泄漏电流补偿和BCAM复用电路及补偿方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 202211418384X，当前法律状态为已下证，由安徽大学提出申请，发明人为胡薇;赵梦怡;彭春雨;卢文娟;戴成虎;郝礼才;吴秀龙，申请日期为2022-11-14，公开（公告）日期为2025-08-22，国际专利分类号（IPC）为 G11C 7/18 (2006.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明涉及一种位线泄漏电流补偿和BCAM复用电路及补偿方法。该位线泄漏电流补偿和BCAM复用电路包括由多个SRAM单元组成的存储阵列以及补偿模块；每列SRAM单元共享位线且构成一个基本的存储模块；补偿模块包括8个PMOS管P0～P7和2个补偿电容C1、C2；P0、P1、P2、P3的漏极作为补偿模块的四个输入端与存储模块的四条位线相接；C1、C2的上极板连接端out、outb作为存储模块执行正常读写操作时的结果输出端；C1、C2的下极板连接端bout、boutb作为存储模块执行BCAM寻址操作时的结果输出端。本发明涉及的补偿模块能够减少因漏电流存在而导致寻址或读取错误的情况。

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