一种基于FeFET的同或计算单元、阵列及其工作方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

本发明公开了一种基于FeFET的同或计算单元、阵列及其工作方法。单元包括FeFET晶体管F1、F2和NMOS晶体管M0。F1的源极连接至位线BL，F2的源极连接至位线BLB，栅极与F1的栅极共同连接至字线WL，漏极与F1的漏极共同连接至节点X。M0的栅极连接节点X，漏极接地，源极连接至共享电荷线Scl。F1、F2被配置为存储权重位，并通过在WL施加读取电压，在BL和BLB施加对应于输入位的电压，使得Scl的电压电平输出同或逻辑计算结果。阵列包括以m行×n列排列的多个同或计算单元。每个单元的WL和Scl端每列共享，BL和BLB每行共享。本发明简化了阵列字线的控制外围电路，有效的避免了电流的可变性，有效的解决了硬件开销等问题。

《一种基于FeFET的同或计算单元、阵列及其工作方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 2025117049494，当前法律状态为已下证，由安徽大学提出申请，发明人为胡薇;杨朔;卢文娟;彭春雨;戴成虎;吴秀龙，申请日期为2025-11-20，公开（公告）日期为2026-03-17，国际专利分类号（IPC）为 H10B 51/40 (2023.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明公开了一种基于FeFET的同或计算单元、阵列及其工作方法。单元包括FeFET晶体管F1、F2和NMOS晶体管M0。F1的源极连接至位线BL，F2的源极连接至位线BLB，栅极与F1的栅极共同连接至字线WL，漏极与F1的漏极共同连接至节点X。M0的栅极连接节点X，漏极接地，源极连接至共享电荷线Scl。F1、F2被配置为存储权重位，并通过在WL施加读取电压，在BL和BLB施加对应于输入位的电压，使得Scl的电压电平输出同或逻辑计算结果。阵列包括以m行×n列排列的多个同或计算单元。每个单元的WL和Scl端每列共享，BL和BLB每行共享。本发明简化了阵列字线的控制外围电路，有效的避免了电流的可变性，有效的解决了硬件开销等问题。

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