一种图像传感器的形成方法

一种图像传感器的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅沟槽，在所述栅沟槽的底部和侧面形成溢出栅绝缘层，在所述溢出栅绝缘层上形成溢出栅电极，所述溢出栅绝缘层与所述溢出栅电极组成溢出栅极结构，所述溢出栅极结构具有第一侧表面和相对于第一侧表面的第二侧表面；在所述溢出栅极结构的第一侧表面半导体衬底中形成二极管掺杂区；在所述溢出栅极结构的第二侧表面半导体衬底中形成溢出漏区，所述溢出漏区电连接电源线；所述溢出栅极结构的深度小于所述二极管掺杂区的深度且大于所述溢出漏区的深度。所述图像传感器的性能得到提高。

《一种图像传感器的形成方法》是一发明专利，专利号为 202110022981X，当前法律状态为已下证，由尤小月提出申请，发明人为尤小月，申请日期为2021-01-08，公开（公告）日期为2024-11-05，国际专利分类号（IPC）为 H01L 27/146 (2006.01)，高新资质：未报高企，所属技术领域包括：半导体、二极管、光电元件、图像传感器。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：一种图像传感器的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅沟槽，在所述栅沟槽的底部和侧面形成溢出栅绝缘层，在所述溢出栅绝缘层上形成溢出栅电极，所述溢出栅绝缘层与所述溢出栅电极组成溢出栅极结构，所述溢出栅极结构具有第一侧表面和相对于第一侧表面的第二侧表面；在所述溢出栅极结构的第一侧表面半导体衬底中形成二极管掺杂区；在所述溢出栅极结构的第二侧表面半导体衬底中形成溢出漏区，所述溢出漏区电连接电源线；所述溢出栅极结构的深度小于所述二极管掺杂区的深度且大于所述溢出漏区的深度。所述图像传感器的性能得到提高。

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