MEMS传感器及其制造方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)

所属领域:发明专利 · 已下证
MEMS传感器及其制造方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)发明专利
专利号2025113950176
专利类型发明专利
专利状态已下证
专利领域
专利价格****
公开(公告)号2025113950176
IPC分类B81B 7/02 (2006.01)
申请日2025-09-28
公开日2025-12-26
申请人苏州大学
发明人涂孝军;王正义;石佑敏;王涛;颜宇庆
专利权人苏州大学
授权公告号CN120887368B
高企状态未报高企

专利摘要

本发明属于MEMS传感器领域,公开了一种MEMS传感器及其制造方法,该传感器包括:具有背腔的第一支撑座;嵌设于第一支撑座端侧的振膜座圈,其中部与背腔对应;周部嵌设于振膜座圈内的振膜,其对应覆盖背腔;具有空腔的第二支撑座,其设于第一支撑座设置振膜的一端上,空腔与振膜和背腔对应;背板,其上设若干声孔,背板设于第二支撑座远离第一支撑座的一端侧,覆盖空腔;其中,振膜座圈由弹性材料制成。振膜通过弹性振膜座圈嵌合安装,使振膜具有更优的灵敏度和顺应性,检测更加灵敏精准;取消了振膜的锚固连接部位,有效避免或降低了振膜连接部位应力集中的问题,降低振膜破损风险;同时振膜座圈还具有静音、衰减振动、改善谐振等作用。


专利解读

《MEMS传感器及其制造方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)》是一发明专利,专利号为 2025113950176,当前法律状态为已下证,由苏州大学提出申请,发明人为涂孝军;王正义;石佑敏;王涛;颜宇庆,申请日期为2025-09-28,公开(公告)日期为2025-12-26,国际专利分类号(IPC)为 B81B 7/02 (2006.01),高新资质:未报高企。该专利已下发证书,权利稳定,适合直接办理转让过户,是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更(过户)的一站式专利转让服务,专业顾问全程协助,确保交易合规、安全、高效。专利摘要:本发明属于MEMS传感器领域,公开了一种MEMS传感器及其制造方法,该传感器包括:具有背腔的第一支撑座;嵌设于第一支撑座端侧的振膜座圈,其中部与背腔对应;周部嵌设于振膜座圈内的振膜,其对应覆盖背腔;具有空腔的第二支撑座,其设于第一支撑座设置振膜的一端上,空腔与振膜和背腔对应;背板,其上设若干声孔,背板设于第二支撑座远离第一支撑座的一端侧,覆盖空腔;其中,振膜座圈由弹性材料制成。振膜通过弹性振膜座圈嵌合安装,使振膜具有更优的灵敏度和顺应性,检测更加灵敏精准;取消了振膜的锚固连接部位,有效避免或降低了振膜连接部位应力集中的问题,降低振膜破损风险;同时振膜座圈还具有静音、衰减振动、改善谐振等作用。


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