具备结温监测和过温保护能力的GaN功率芯片及制备方法(高校公示30天)(不包年费滞纳金)

本发明涉及一种具备结温监测和过温保护能力的GaN功率芯片，包括：依次横向分布在二维电子气结构上且彼此电隔离的功率器件、第一欧姆接触结构、第二欧姆接触结构和温度传感器二极管；功率器件包括源极、漏极和栅极；第一欧姆接触结构包括间隔分布的第一欧姆接触电极和第二欧姆接触电极；第二欧姆接触结构包括间隔分布的第三欧姆接触电极和第四欧姆接触电极；温度传感器二极管包括阴极、阳极和第一部分P‑GaN层；第一欧姆接触电极用于接地，第二欧姆接触电极和第三欧姆接触电极、栅极并接，第四欧姆接触电极和阴极串接且用于输出电压，阳极用于连接电源电压。该GaN功率芯片可以原位监测功率器件的结温变化，同时可以实现过温智能保护机制。

《具备结温监测和过温保护能力的GaN功率芯片及制备方法(高校公示30天)(不包年费滞纳金)》是一发明专利，专利号为 2024102734450，当前法律状态为已下证，由西安电子科技大学提出申请，发明人为袁嵩;严兆恒;江希;邓超凡;李彦佐;刘启帆;何艳静;弓小武，申请日期为2024-03-11，公开（公告）日期为2025-02-14，国际专利分类号（IPC）为 H10D 30/47 (2025.01)，高新资质：未报高企，所属技术领域包括：半导体制造、智能功率芯片、高功率转换、5G通信、航空航天电子、新能源汽车电驱、工业电机。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明涉及一种具备结温监测和过温保护能力的GaN功率芯片，包括：依次横向分布在二维电子气结构上且彼此电隔离的功率器件、第一欧姆接触结构、第二欧姆接触结构和温度传感器二极管；功率器件包括源极、漏极和栅极；第一欧姆接触结构包括间隔分布的第一欧姆接触电极和第二欧姆接触电极；第二欧姆接触结构包括间隔分布的第三欧姆接触电极和第四欧姆接触电极；温度传感器二极管包括阴极、阳极和第一部分P‑GaN层；第一欧姆接触电极用于接地，第二欧姆接触电极和第三欧姆接触电极、栅极并接，第四欧姆接触电极和阴极串接且用于输出电压，阳极用于连接电源电压。该GaN功率芯片可以原位监测功率器件的结温变化，同时可以实现过温智能保护机制。

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