一种具有高激子利用率的OLED器件及其制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

本发明涉及有机电致发光材料技术领域，具体公开了一种具有高激子利用率的OLED器件及其制备方法，包括上下叠合的多层结构，自上而下依次为ITO基片、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、间隔层、有机发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极层；所述有机发光层的材料为掺杂具有高激子利用率的荧光材料与双主体材料mcp和TPBi。本发明通过采用具有高激子利用率的荧光材料配合主体材料制备有机发光层，使得本发明制备的OLED器件具备较高的激子利用率，且该荧光材料分子能级匹配，发光效率较高，具有较好的成膜性，能够作为高效OLED掺杂材料使用。

《一种具有高激子利用率的OLED器件及其制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 2025106228518，当前法律状态为已下证，由南京邮电大学提出申请，发明人为钱妍;赵洋恺，申请日期为2025-05-15，公开（公告）日期为2025-07-15，国际专利分类号（IPC）为 H10K 50/12 (2023.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明涉及有机电致发光材料技术领域，具体公开了一种具有高激子利用率的OLED器件及其制备方法，包括上下叠合的多层结构，自上而下依次为ITO基片、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、间隔层、有机发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极层；所述有机发光层的材料为掺杂具有高激子利用率的荧光材料与双主体材料mcp和TPBi。本发明通过采用具有高激子利用率的荧光材料配合主体材料制备有机发光层，使得本发明制备的OLED器件具备较高的激子利用率，且该荧光材料分子能级匹配，发光效率较高，具有较好的成膜性，能够作为高效OLED掺杂材料使用。

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