一种用于频率合成器的低失配电荷泵（不用二变）

本发明请求保护一种用于频率合成器的低失配电荷泵，包括偏置电路及电荷泵核心电路。本发明采用共源极充电开关PMOS管M1及共源极放电开关NMOS管M6来抑制电荷共享，充电电流源偏置电路、放电电流源偏置电路分别为PMOS管M2、NMOS管M5提供偏置，传输门TG1、传输门TG2分别作为共源共栅充电电流源及共源共栅放电电流源的栅极开关，防止电荷泵关闭时产生漏极电流；充电电流源提升电路与共源共栅充电电流源构成负反馈回路，放电电流源提升电路与共源共栅放电电流源构成负反馈回路，增加电荷泵输出阻抗，提高电荷泵的充放电流失配性，从而实现用于频率合成器的低失配电荷泵。

《一种用于频率合成器的低失配电荷泵（不用二变）》是一发明专利，专利号为 2021112733925，当前法律状态为已下证，由重庆邮电大学提出申请，发明人为周前能;李恒;李红娟，申请日期为2021-10-29，公开（公告）日期为2022-02-18，国际专利分类号（IPC）为 H02M3/07(2006.01)I，高新资质：未报高企，所属技术领域包括：锁相环模块、频率合成器、射频收发机、集成电路设计、信号芯片设计、无线通信模组、射频前端模组、电池管理系统、手机处理器、DC-DC电源。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明请求保护一种用于频率合成器的低失配电荷泵，包括偏置电路及电荷泵核心电路。本发明采用共源极充电开关PMOS管M1及共源极放电开关NMOS管M6来抑制电荷共享，充电电流源偏置电路、放电电流源偏置电路分别为PMOS管M2、NMOS管M5提供偏置，传输门TG1、传输门TG2分别作为共源共栅充电电流源及共源共栅放电电流源的栅极开关，防止电荷泵关闭时产生漏极电流；充电电流源提升电路与共源共栅充电电流源构成负反馈回路，放电电流源提升电路与共源共栅放电电流源构成负反馈回路，增加电荷泵输出阻抗，提高电荷泵的充放电流失配性，从而实现用于频率合成器的低失配电荷泵。

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