一种基于SI基GAN的Micro LED的外延

本实用新型公开了一种基于Si基GAN的Micro LED的外延结构，所述Micro LED的外延结构的Si基外延从下到上依次包括：Si衬底、单晶ALN缓冲层、ALGaN应力调节层、低掺杂Si浓度的NGaN层、n型AlGan层、高掺杂Si浓度NGan层、MQW层、电子阻挡层、PGan层和接触层；其中，MQW层为至少一个GaN/AlGaN/InGaN层。该结构利于硅基衬底湿法剥离，制备垂直结构Micro LED芯片，节省后制程成本，提高良率。该结构具体限定了ALN层为单晶缓冲ALN层，其有效改善了Micro‑LED的晶体质量和外观缺陷。

《一种基于SI基GAN的Micro LED的外延》是一实用新型，专利号为 2022213095349，当前法律状态为已售，由广州市众拓光电科技有限公司提出申请，发明人为李国强，公开（公告）日期为2022-11-29，国际专利分类号（IPC）为 H01L33/12(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I，高新资质：未报高企，所属技术领域包括：Micro LED 发光二极管。该专利权属清晰，可通过正规流程办理转让，适用于企业技术升级、资质申报与战略布局。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本实用新型公开了一种基于Si基GAN的Micro LED的外延结构，所述Micro LED的外延结构的Si基外延从下到上依次包括：Si衬底、单晶ALN缓冲层、ALGaN应力调节层、低掺杂Si浓度的NGaN层、n型AlGan层、高掺杂Si浓度NGan层、MQW层、电子阻挡层、PGan层和接触层；其中，MQW层为至少一个GaN/AlGaN/InGaN层。该结构利于硅基衬底湿法剥离，制备垂直结构Micro LED芯片，节省后制程成本，提高良率。该结构具体限定了ALN层为单晶缓冲ALN层，其有效改善了Micro‑LED的晶体质量和外观缺陷。

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