一种内绝缘功率半导体分立器件的处理结构

本实用新型公开了一种内绝缘功率半导体分立器件的处理结构，涉及半导体分立器件技术领域。本实用新型包括绝缘套和基板，绝缘套包括支撑绝缘层，支撑绝缘层顶部开设有凹槽，凹槽内壁固定连接有芯片，芯片底部固定连接有若干个引脚，支撑绝缘层顶部靠近芯片四周固定连接有若干个绝缘柱，绝缘柱为中空结构设置，若干个绝缘柱顶部固定连接有覆盖绝缘层。通过设置绝缘套，具体是凹槽形成物理支撑与电气隔离的双重界面，绝缘柱避免固体绝缘材料界面的电荷积累，顶部覆盖绝缘层形成密封，构成立体绝缘空间，解决了现有内绝缘功率半导体分立器件的处理结构普遍采用平面单层绝缘层设计，容易电场分布不均导致局部放电风险的问题。

《一种内绝缘功率半导体分立器件的处理结构》是一实用新型，专利号为 2025214167719，当前法律状态为已售，由华索（苏州）科技有限公司提出申请，发明人为王韦杰，公开（公告）日期为2026-08-07，国际专利分类号（IPC）为 H10W76/18(2026.01)I;H10W40/22(2026.01)I;H10W40/60(2026.01)I，高新资质：未报高企，所属技术领域包括：功率半导体分立器件、内绝缘功处理结构、半导体封装、功率器件封装、TO封装、内置绝缘、分立体功率器件。该专利权属清晰，可通过正规流程办理转让，适用于企业技术升级、资质申报与战略布局。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本实用新型公开了一种内绝缘功率半导体分立器件的处理结构，涉及半导体分立器件技术领域。本实用新型包括绝缘套和基板，绝缘套包括支撑绝缘层，支撑绝缘层顶部开设有凹槽，凹槽内壁固定连接有芯片，芯片底部固定连接有若干个引脚，支撑绝缘层顶部靠近芯片四周固定连接有若干个绝缘柱，绝缘柱为中空结构设置，若干个绝缘柱顶部固定连接有覆盖绝缘层。通过设置绝缘套，具体是凹槽形成物理支撑与电气隔离的双重界面，绝缘柱避免固体绝缘材料界面的电荷积累，顶部覆盖绝缘层形成密封，构成立体绝缘空间，解决了现有内绝缘功率半导体分立器件的处理结构普遍采用平面单层绝缘层设计，容易电场分布不均导致局部放电风险的问题。

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