西维因光响应分子印迹传感器及其制备方法

西维因光响应分子印迹传感器及其制备方法，涉及分子印迹电化学传感器领域。西维因光响应分子印迹传感器，包括裸玻碳电极和附着在裸玻碳电极表面上对光具有响应性的聚合膜；聚合膜上带有与西维因分子的形状和大小一致的孔穴；当聚合膜上越来越多的孔穴被西维因分子填充时，裸玻碳电极的导电性能逐渐下降。本发明提供的西维因光响应分子印迹传感器对西维因具有专一识别性和高亲和性，可用于环境中微量/痕量西维因的提取、分离与检测。该传感器制备简易，经济易得，对西维因检测灵敏，检出限为0.875 nM。其针对西维因具有吸附及洗脱性良好的双重特点，因而具有较强的实用性。

《西维因光响应分子印迹传感器及其制备方法》是一发明专利，专利号为 2022104207903，当前法律状态为已下证，由南华大学提出申请，发明人为谭倪;丁醉;谭雅欣;杨银成;柳立杰，申请日期为2022-04-21，公开（公告）日期为2024-02-06，国际专利分类号（IPC）为 G01N 27/30 (2006.01)，高新资质：未报高企，所属技术领域包括：分子印迹电化学传感器。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：西维因光响应分子印迹传感器及其制备方法，涉及分子印迹电化学传感器领域。西维因光响应分子印迹传感器，包括裸玻碳电极和附着在裸玻碳电极表面上对光具有响应性的聚合膜；聚合膜上带有与西维因分子的形状和大小一致的孔穴；当聚合膜上越来越多的孔穴被西维因分子填充时，裸玻碳电极的导电性能逐渐下降。本发明提供的西维因光响应分子印迹传感器对西维因具有专一识别性和高亲和性，可用于环境中微量/痕量西维因的提取、分离与检测。该传感器制备简易，经济易得，对西维因检测灵敏，检出限为0.875 nM。其针对西维因具有吸附及洗脱性良好的双重特点，因而具有较强的实用性。

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